Richi´s Lab

OC45

OC45

OC45

Der PNP-Germaniumtransistor OC45 ist im Gegensatz zum OC811 ein Hochfrequenztransistor mit einer Grenzfrequenz von mindestens 4MHz. Die Sperrspannung beträgt 15V der maximal zulässige Kollektorstrom liegt bei 10mA. Der Transistor befindet sich in einem Glasgehäuse. Produziert wurde der OC45 von vielen Firmen. Das vorliegende Bauteil lässt sich keinem Hersteller zuordnen.

 

OC45 Gehäuse

OC45 Gehäuse

Um den Transistor vor Licht zu schützen, ist das Glasgehäuse schwarz lackiert. Der Lack lässt sich abkratzen und es zeigt sich, dass das Innere mit einem blauen Material gefüllt ist, das auf den ersten Blick wie ein Pulver aussieht.

 

OC45 Gehäuse

Zerbricht man das Gehäuse, so zeigt sich, dass das blaue Material pastös ist. Es scheint an der Luft zumindest etwas auszuhärten.

 

OC45 Gehäuse

Das blaue Material behindert die Sicht auf den Transistor, es lässt sich aber mit Entlacker relativ sauber auflösen. Vor dieser Prozedur sind an den Anschlussdrähten direkt am Transistor noch zwei Verdickungen zu erkennen. Es könnte sein, dass der Transistor als zusätzlicher Schutz mit einem Lack überzogen wurde, der sich beim Säubern ebenfalls aufgelöst hat.

 

OC45 Aufbau

OC45 Aufbau

Am mittleren Anschlusspin des OC45 ist eine ringförmige Halterung angeschweißt, die das Germaniumplättchen trägt und als Basiskontakt dient. Die Kontaktierung der beiden Seiten des Germaniumplättchens erfolgte mit Golddrähten.

 

OC45 Transistor

OC45 Transistor

OC45 Transistor

Der Durchmesser des Germaniumplättchens beträgt 1,4mm. Das Lot, das den Kollektorbereich kontaktiert, erstreckt sich ein Stück weit nach unten. Dieser etwas glänzendere Bereich wirkt teilweise etwas verwirrend auf den Bildern.

 

OC45 Germaniumplättchen

Das Germaniumplättchen ist nur ungefähr 40µm dick und erleichtert es eine dünne Basisschicht einzustellen. Eine dünne Basisschicht ermöglicht wiederum hohe Schaltgeschwindigkeiten.

 

OC45 Germaniumplättchen

OC45 Germaniumplättchen

Der Anschluss des Emitters erfolgt auf der anderen Seite der Germaniumscheibe. Wie üblich bei Legierungstransistoren enthält das Lot einen Stoff, der sich als p-Dotierung eignet. Beim Aufschmelzen entstehen auf beiden Seiten die gewünschten p-dotierten Bereiche, die Emitter und Kollektor abbilden.

 

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