Richi´s Lab

WBN OC811

OC811

Der OC811 ist der erste in der DDR entwickelte Flächentransistor. Die Buchstaben WBN zeigen, dass die Fertigung im Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik erfolgte. Im WBN fand auch die Entwicklung dieses Transistors statt. Viele OC811 sind mit dem Kürzel HWF beschriftet, das für das Halbleiterwerk Frankfurt Oder steht. Die maximale Sperrspannung des OC811 beträgt 20V. Der maximal zulässige Kollektorstrom liegt bei 15mA.

Neben dem OC811 gab es noch andere Sortierungen des Transistors. Der OC810 war günstiger, seine Spezifikationen unterliegen aber einer höheren Streuung. Der OC812 ist rauschärmer. Der OC813 bietet eine etwas höhere Grenzfrequenz.

 

OC811

Der mittlere Anschluss kontaktiert die Basis des Transistors. Das Emitterpotential liegt auf der Leitung, die dem Basisanschluss näher ist.

 

OC811 Aufbau

Das Gehäuse besteht aus einem unteren Element, in dem sich der Transistor befindet. Darauf ist ein Deckel aufgesteckt. Die zwei Durchbrüche auf der Unterseite des Gehäuses sind mit einem durchsichtigen Material abgedichtet.

 

OC811 Aufbau

OC811 Aufbau

Der Transistor besteht aus einem Germaniumplättchen in einem rechteckigen Träger, der wiederum mit dem Basisdraht verlötet ist. Auf beiden Seiten des Plättchens wird Indium aufgebracht und eingeschmolzen, so dass sich die gewünschte PNP-Struktur ausbildet. Das Lot füllt den Bereich des Germaniumplättchens sehr stark aus. Es drängt sich die Frage auf, wie oft das Lot zu einem Nebenschluss über die Sperrschichten geführt hat. Der Emitter ist kleiner als der Kollektor, was für die elektrischen Eigenschaften des Transistors vorteilhaft ist. Das ganze Element scheint mit einer Art Schutzlack überzogen zu sein.

 

Funkamateur OC811

Funkamateur OC811

In "Der Praktische Funkamateur" Band 17 ist ein offener OC811 abgebildet (oben). Dort ist das Trägerplättchen über ein weiteres Element mit dem Basisanschluss verbunden. In "Der Praktische Funkamateur" Band 34 findet sich ein weiteres Bild eines offenen OC811 (unten). Hier fehlt das zusätzliche Element. Vielleicht handelt es sich beim oberen Bild um einen Entwicklungstransistor. Ein übermäßig ausladender Aufbau erscheint aus Sicht der mechanischen Robustheit wenig sinnvoll.

 

OC811

Es liegen mehrere OC811-Transistoren vor, von denen einige anscheinend nicht sauber gefertigt wurden.

 

OC811 Aufbau

OC811 Aufbau

Bei diesen Bauteilen befindet sich nur sehr wenig Lot auf dem Germaniumplättchen. Die Drähte sind teilweise nicht einmal angebunden. Hier ist dafür besser zu erkennen, wie das Germaniumplättchen in den Träger eingearbeitet ist.

 

OC811

Hier findet sich ein Lotkügelchen im unteren Trägerelement. Vielleicht ist das Lot, das eigentlich Kollektor oder Emitter kontaktieren sollte, während der Fertigung abgefallen.

 

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