Richi´s Lab

ROHM BA222

ROHM BA222

 ROHM entwickelte unter der Bezeichnung BA222 eine NE555-Variante im SIL-Gehäuse.

Das SIL-Gehäuse bietet nur sieben Pins. Es fehlt der Control-Pin, über den auf das obere Potential des Spannungsteilers zugegriffen werden kann.

 

ROHM BA222 Die

Beim BA222 scheint es sich um ein eigenständiges Design zu handeln.
Das Die trägt die Bezeichnung TI705F oder T1705F.

Es sind acht Bondpads vorgehalten, von denen eines (an der linken Kante) nicht genutzt wurde. Es handelt sich um das Potential, das üblicherweise auf den Control-Pin geführt wird. Entsprechend kann das Die auch für eine NE555-Variante mit 8-Pins genutzt werden.

Die Leistungstransistoren des Push-Pull-Ausgangs und des Discharge-Transistors sind im Vergleich zu den anderen NE555-Varianten relativ klein ausgeführt. Das Datenblatt gibt allerdings mit 200mA die gleiche Stromtragfähigkeit an, wie sie auch von anderen NE555-Varianten bekannt ist.
Die Leistungstransistoren sind aus fünf einzelnen, parallel geschalteten Transistoren aufgebaut. Eine solche Parallelschaltung findet sich ansonsten nur in den NE555-Varianten von Texas Instruments. Der besondere Aufbau der Leistungstransistoren und das "TI" in der Beschriftung des Dies werfen die Frage auf, ob das Design vielleicht von Texas Instruments zugekauft wurde.

An den Bondpads in der rechten unteren Ecke sind ähnliche Schäden wie beim Siemens TDB0555 zu erkennen. Die Metalllage des Discharge-Transistors ist zu einem nicht unerheblichen Teil degradiert. Eventuell wirkten auch hier korrosive Medien auf den IC ein.

 

ROHM BA222 Die Detail Widerstände

ROHM BA222 Die Detail Widerstände

Die einzelnen Schaltungsteile lassen sich nicht so gut identifizieren wie bei anderen integrierten Schaltkreisen. Hier sind aber sehr schön drei unterschiedliche Widerstandsarten zu erkennen. Die oberen drei Widerstände (grün) bestehen aus Streifen der Dotierung, die auch das Basismaterial von Transistoren darstellt. Die Längen und Breiten der Strukturen sind so gewählt, dass sich die gewünschten Widerstandswerte ergeben. Die Geometrien passen augenscheinlich zu den Werten im Datenblatt des BA222 (4,7kΩ, 4,7kΩ, 220Ω).
Indem man Quadrate in die Formen einfügt kann man den spezifischen Widerstand des Materials bestimmen. Eckquadrate stellen dabei nur ein halbes Element dar.
4,7kΩ / 40,5sq = 116Ω/sq
4,7kΩ / 41sq = 115Ω/sq
220Ω / 1,5sq = 147Ω/sq

Die unteren beiden Widerstände (gelb und blau) sind aus zwei Schichten zusammengesetzt. Der gelbe Widerstand besteht aus einem breiteren Streifen der Dotierung, die normalerweise das Emittermaterial von Transistoren darstellt und sich entsprechend in einer Wanne des Basismaterials befindet. Das hochdotierte Emittermaterial besitzt einen niedrigeren spezifischen Widerstand und wird entsprechend für niederohmigere Widerstände verwendet. Das Datenblatt gibt für den gelben Widerstand einen Wert von 100Ω an. Die Quadrat-Methode führt zu folgendem spezifischen Widerstand:
100Ω / 2,5sq = 40Ω/sq

Der blaue Widerstand besteht ebenfalls aus zwei Schichten. Hier ist der Aufbau aber ein anderer. Während sich der gelbe Widerstand vollständig in einer anderen Fläche befindet, liegt beim blauen Widerstand die zusätzliche Fläche nur über dem eigentlichen Widerstandselement. Mindestens die Kontaktierung rechts blieb ausgespart. Es handelt sich um einen sogenannten Pinch-Resistor. Der eigentliche Widerstand ist wie bei den grünen Widerständen durch das Basismaterial dargestellt. Darüber befindet sich ein invers dotiertes Material, vermutlich das Emittermaterial. Es dringt teilweise in das Basismaterial ein, verringert so dessen Querschnitt und erhöht damit den spezifischen Widerstand. Laut Datenblatt handelt es sich hier um einen 100kΩ-Widerstand. Daraus lässt sich ein hoher spezifischer Widerstand berechnen:
100kΩ / 24sq = 4,2kΩ/sq

Die spezifischen Widerstände der drei verschiedenen Widerstandstypen liegen innerhalb der Wertebereiche, die auch die gängige Literatur angibt.

 

ROHM BA222

 Detailaufnahmen der beiden Widerstandstypen.

 

 

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