Dieser Siemens 2N3055 trägt zwei Zeichenfolgen, die ein Datecode sein könnten: 5E und S8. Nach DIN EN 60062 würde das E für das Jahr 1974 stehen, S würde auf das Jahr 1984 verweisen. Der Siemens 2N3055H (1983) ist bereits mit dem modernen vierstelligen Datecode bedruckt. Das spricht dafür, dass der hier zu sehende 2N3055 im Mai 1974 gefertigt wurde.
Wie im Siemens 2N3055 (1975) befindet sich auch hier ein weißes Pulver im Gehäuse, das vermutlich ein Trocknungsmittel darstellt.
Das Die befindet sich auf einem Sockel, der auch auf der Rückseite des Gehäuses zu sehen ist. Die Verbindung zwischen den Pins und dem Die erfolgte mit gewöhnlichen Drähten, nicht mit Bonddrähten. Die Drähte sind auf beiden Seiten verlötet.
Das Die zeigt die typische unregelmäßige Oberfläche eines hometaxialen Transistors. Die Anschlussdrähte wurden direkt auf die Metalllage gelötet.
Das Die ist mit einer Art Schutzlack überzogen, der sich an manchen Stellen ablöst.
An einer Stelle fehlt ein Stück der Metalllage. Dort sieht man wie die Öffnungen in der Passivierungsschicht aussehen, über die der Halbleiter kontaktiert wird.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Sperrschicht erfolgt erst bei -50V. Hohe Werte sind typisch für hometaxiale Transistoren. Derart hohe Werte kamen bisher aber nur bei 2N3055-Transistoren von Siemens vor.
Ein Großteil des Stroms fließt im oberen Bereich des Dies (50mA, 100mA, 200mA).
