Siemens hatte einen 2N3055 und einen 2N3055H im Programm. Bei RCA stand das H für hometaxial, während gleichzeitig schon epitaxiale 2N3055 gefertigt wurden. Bevor epitaxiale 2N3055 hergestellt werden konnten, waren auch hometaxiale Transistoren nur mit 2N3055 beschriftet. Es könnte sein, dass Siemens ähnlich vorging. Die älteren 2N3055 von 1974 und 1975 und der hier zu sehende 2N3055H sind alle hometaxial aufgebaut. Ein Datecode verweist auf das Jahr 1982.
Der Aufbau ist im Vergleich zu den älteren Varianten sehr viel moderner. Der Heatspreader füllt einen Großteil des Gehäuses.
Das Design des Transistors entspricht dem vieler anderer hometaxialer 2N3055. Ein interessanter Punkt ist ein massiver Schaden an der unteren Kante des Dies.
Im Detail zeigt sich, dass zwei der Emitterstränge an ihren Enden Schäden aufweisen. Im linken Strang scheint die Basis-Emitter-Strecke nur an einer verhältnismäßig kleinen Stelle durchgeschlagen zu sein. Im rechten Strang kam es zu einer massiveren Zerstörung. Die transparente Schicht, die das Die vor Umwelteinflüssen schützt, wurde dabei aufgerissen.
