Richi´s Lab

Siemens 2N3055H

2N3055H Siemens

Neben dem 2N3055 hatte Siemens auch einen 2N3055H im Angebot. Bei RCA stand das H für hometaxial, während gleichzeitig schon epitaxiale 2N3055 gefertigt wurden. Bevor epitaxiale 2N3055 hergestellt werden konnten, waren auch hometaxiale Transistoren nur mit 2N3055 beschriftet. Es könnte sein, dass Siemens ähnlich vorging. Der sehr alt erscheinende 2N3055 und der hier zu sehende 2N3055H sind beide hometaxial aufgebaut. Ein Datecode verweist auf das Jahr 1982.

 

2N3055H Siemens Aufbau

2N3055H Siemens Aufbau

Der Aufbau ist im Vergleich zum älteren Siemens 2N3055 sehr viel moderner. Der Heatspreader füllt einen Großteil des Gehäuses.

 

2N3055H Siemens Die

Das Design des Transistors entspricht dem vieler anderer hometaxialer 2N3055. Ein interessanter Punkt ist ein massiver Schaden an der unteren Kante des Dies.

 

2N3055H Siemens Die Beschädigung

Im Detail zeigt sich, dass zwei der Emitterstränge an ihren Enden Schäden aufweisen. Im linken Strang scheint die Basis-Emitter-Strecke nur an einer verhältnismäßig kleinen Stelle durchgeschlagen zu sein. Im rechten Strang kam es zu einer massiveren Zerstörung. Die transparente Schicht, die das Die vor Umwelteinflüssen schützt, wurde dabei aufgerissen.

 

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