Neben dem 2N3055 hatte SGS-ATES einen 2N3055C und einen 2N3055U im Programm. Die beiden Varianten bieten leicht unterschiedliche Spezifikationen. Es ist nicht unwahrscheinlich, dass es sich um unterschiedliche Sortierungen des gleichen Transistors handelt. Die maximale Kollektor-Basis-Spannung der Variante C ist mit 80V etwas geringer als beim 2N3055 (100V). Die Variante U bietet eine etwas höhere Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von 80V (gegenüber 60V beim 2N3055). Außerdem können bis zu 150W Verlustleistung abgeführt werden (117W bei 2N3055 und 2N3055C). Das SOA-Diagramm des 2N3055U wird im Gegensatz zu den anderen Varianten überhaupt nicht durch den Second Breakdown Effekt beschnitten. Ein Datenblatt zur hier abgebildeten VT-Variante findet sich leider nicht.
Der Aufbau ähnelt dem 2N3055. Man könnte vermuten, dass der 2N3055VT etwas älter ist, da in den Heatspreader noch keine Struktur eingeprägt ist.
Das Die scheint gleich aufgebaut zu sein wie das Die des 2N3055. An der oberen Kante ist der Transistor durch eine Überlastung beschädigt. Am linken Kontakt hat sich die oberste Schutzschicht vom Die gelöst.
Der Schaden an der Kante des Dies könnte durch einen Überschlag zwischen Kollektor und Basis entstanden sein.
