Der hier vorliegende 2N3055 wurde von SGS ATES gefertigt, einem Zusammenschluss aus den italienischen Firmen SGS und ATES. Nach einer Fusion mit Thomson entstand daraus später ST Microelectronics. Das Logo ist sehr klein und etwas unsauber ausgeführt, daneben verweist ein Datecode auf das Jahr 1978.
Das Datenblatt lobt den 2N3055 als hometaxialen Transistor aus, dessen SOA entsprechend nicht durch den Second Breakdown Effekt begrenzt wird. Betrachtet man das im Datenblatt abgedruckte SOA-Diagramm genauer, so stellt man allerdings fest, dass es durchaus noch einen kleinen Bereich gibt, der durch den Second Breakdown beschnitten wird.
Der Aufbau zeigt im Vergleich zu den anderen hometaxialen 2N3055 wenig überraschendes. Das Die ist auf einem großen Heatspreader platziert. Die Riefen lassen überflüssiges Lot abfließen. Unter dem rechten Anschlussblech befindet sich eine auffällig große Menge Lot.
Das Die gleicht den Dies in den anderen hometaxialen 2N3055. Die aufgelöteten Anschlussbleche waren ursprünglich beschichtet.
Obwohl der Transistor optisch unauffällig war, scheint er vorgeschädigt gewesen zu sein. Die Basis-Emitter-Strecke ließ sich nicht stabil im Durchbruchbereich betreiben. Stattdessen zeigt sich bei höheren Strömen (~3A) ein recht zerstörerisches Glühen. Zumindest ist auch diese Leuterscheinung durchaus sehenswert. Sie ist hier in einem Video festgehalten.
