Dieser von Solitron produzierte 2N3055 ist mit einem Jahrgang 1969 relativ alt.
Wie beim ST Microelectronics BUX22 ist auch die Grundplatte dieses Transistors mittig mit einer Einbuchtung versehen.
Zur Unterscheidung von Basis und Emitter wurde in die Grundplatte ein E und ein B eingeprägt.
Der Transistor selbst befindet sich auf einem runden Träger. Der Aufbau ähnelt dem im 2N3055 von Siemens. Hier tritt der Träger aber nicht durch die Grundplatte hindurch.
Wie bei den älteren Modellen üblich, erfolgt die Kontaktierung des Dies über angelötete Blechteile. An den Anschlusspins sind die Bleche über einen Klemmmechanismus arretiert.
Die Strukturen auf dem Die entsprechend dem klassischen Aufbau eines Leistungstransistors. Bei diesem 2N3055 wurde das Emitterpotential allerdings über zwei Zuleitungen angebunden.
Die ganze Fläche ist mit einer Art Schutzlack überzogen. Die Faser links im Bild befindet sich teilweise in diesem Schutzlack und stammt folglich aus der Herstellung.
Wie beim RCA 2N3055H befindet sich auf dem Die ein Lötzinn, das die Stromverteilung unterstützt und eine einfache Kontaktierung ermöglicht. Hier ist die Verteilung allerdings sehr viel unsauberer. Auf einigen Kontaktelektroden fehlt das Lötzinn fast komplett.
Im Detail betrachtet überrascht die Form der Bleche die den Emitter kontaktieren. Sie kommen den Basis-Elektroden sehr nahe. Es scheint, dass man ohne Not die Gefahr eines Kurzschlusses zur Basis eingegangen ist. Die Kontaktflächen hätte man durchaus etwas kürzer ausführen können.
Das Alter und die optische Erscheinung des Transistors lassen darauf schließen, dass es sich um einen hometaxialen Transistor handelt, wie er im Rahmen des RCA 2N3055H beschrieben ist. Die unterschiedliche Oberflächenstruktur von Basis und Emitter würde sich durch den Ätzprozess erklären lassen, der den Emitterbereich teilweise entfernt und den Basisbereich freilegt.
Die deutlich erkennbare Kante, die sich zwischen Basis- und Emitterelektroden befinden, stellen die Basis-Emitter-Grenzfläche dar.
Die Basis-Emitter-Grenzfläche lässt sich durch einen Betrieb im Durchbruch lokalisieren. Die Rekombination von Ladungsträgern, die durch den Lawinendurchbruch auf unterschiedlichste Energieniveaus gehoben werden, erzeugen ein Leuchten das entsprechend die unterschiedlichsten Wellenlängen enthält.
Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei -16V und damit etwas früher als die Basis-Emitter-Strecke des mutmaßlich ebenfalls hometaxialen RCA 2N3055H (-19V). In diesem Bild beträgt der Stromfluss ungefähr 0,5A, was noch nicht ausreicht, um die Sperrschicht durchgehen zum Leuchten zu bringen.
Im Detail ist noch einmal gut die unterschiedliche Oberfläche von Basis- und Emitterbereich zu erkennen. Die optische Erscheinung des Basisbereichs erinnert an den Rahmen des MESA-Transistors KD501 von Tesla. Das ist soweit stimmig, da der Rahmen eines MESA-Transistors ebenso heruntergeätzt wird wie der Basisbereich eines hometaxialen Transistors.
Bei noch stärkerer Vergrößerung ist zu erkennen, dass sich direkt neben den Elektroden von Basis und Emitter jeweils noch eine zusätzliche dunkle Kanten befindet. Wahrscheinlich handelt es sich dabei um Öffnungen in der Siliziumoxidschicht, die den aktiven Bereich schützt und hier gleichzeitig als Begrenzung für das Lötzinn dient.
