Richi´s Lab

RCA 2N3055

RCA 2N3055

 RCA produzierte den 2N3055 teilweise mit und teilweise ohne einem Index H. Hier ist die Variante ohne Index zu sehen. Wie in der Analyse des RCA 2N3055H beschrieben kann ein so beschrifteter 2N3055 einen hometaxial oder einen epitaxial hergestellten Transistor enthalten.

 

RCA 2N3055 Aufbau

RCA 2N3055 Aufbau

Der innere Aufbau ähnelt stark dem RCA 2N3055H. Das Die ist nur minimal kleiner. Es befindet sich auf einem großen Heatspreader in einer leichten Vertiefung. Die Bleche zur elektrischen Anbindung des Dies wurden im Gegensatz zum RCA 2N3055H an die Kontaktpins angelötet.

 

RCA 2N3055 Die

Die Verbindung zum Die erfolgte wie beim RCA 2N3055H indem die Kontaktbleche auf die verzinnten Elektroden aufgelötet wurden. Die Elektroden sind hier etwas weniger massiv ausgeführt.

 

RCA 2N3055 Die Detail

Im Gegensatz zum RCA 2N3055H ist die Oberfläche dieses 2N3055 quasi komplett plan und die Oberflächenstruktur erscheint feiner. Beides spricht dafür, dass es sich hier um einen epitaktisch hergestellten Transistor handelt. Bei einer hometaxialen Fertigung muss die Basisfläche freigeätzt werden, was eine minimale Treppenstruktur in der Oberfläche hinterlässt. Bei epitaktisch gefertigten Transistoren ist das nicht notwendig. Die feinere Oberflächenstruktur weist ebenfalls auf eine epitaktische Fertigung hin. Das epitaktisch aufgewachsene Kristallgitter dürfte in den meisten Fällen eine gleichmäßigere Oberfläche erzeugen als eine mechanisch gefertigte Halbleiterscheibe, die im hometaxialen Prozess dann nur noch beidseitig dotiert wird.

 

RCA 2N3055 Die Detail

RCA 2N3055 Die Detail second breakdown

Die Grenzfläche zwischen Basis und Emitter lässt sich gerade so erahnen. Betreibt man den pn-Übergang im Durchbruch, so zeigt er sich auch durch die bekannte Leuchterscheinung.

Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei 15V und damit etwas früher als beim RCA 2N3055H.

 

RCA 2N3055 Die Detail

Im Detail und mit seitlichem Licht zeigt sich noch einmal die relativ feine und gleichmäßige Oberflächenstruktur.

 

RCA 2N3055 (frühere Analyse) 

2N3055 RCA

Äußerlich zeigt dieser RCA 2N3055 keine Besonderheiten.

 

2N3055 RCA Die

Im Gehäuse befindet sich ein ähnlicher Heatspreader wie im obigen 2N3055.
Während des Öffnens hat sich der Heatspreader verformt, wodurch es auch zu einem Bruch des Halbleiters in der oberen linken Ecke kam.

 

2N3055 RCA Die Detail

Das Die scheint genauso aufgebaut zu sein wie das des obigen 2N3055.

 

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