Der KIS-3R33S ist ein Schaltreglermodul, das auf dem Regler MP2307 von Monolithic Power basiert. Bei einem Ausgangsstrom von bis zu 3A kann der Schaltregler eine Eingangsspannung von 4,75V bis 23V auf eine Ausgangsspannung zwischen 0,925V und 20V reduzieren. Es handelt sich um einen Step-Down-Wandler, folglich kann die Ausgangsspannung nicht höher eingestellt werden als die Eingangsspannung. Die Schaltfrequenz beträgt 340kHz.
Am Eingang und am Ausgang des Schaltreglermoduls ist ein 100µF-Kondensator zu bestücken. Über einen Pin kann der Schaltregler aktiviert werden. Abgeschaltet beträgt die Stromaufnahme nur 1µA. Ein Widerstand an einem Adjust-Pin ermöglicht die Einstellung der Ausgangsspannung.
Das Kunststoffgehäuse ist zweiteilig aufgebaut. Die Abdeckung auf der Unterseite kennzeichnet die herausgeführten Potentiale.
Innerhalb des Kunststoffgehäuses befindet sich eine zweilagige Platine, die die Bauteile des Schaltreglers trägt. Die Schaltung entspricht einem klassischen Tiefsetzsteller.
Im MP2307 ist sowohl der Leistungsschalter des Schaltreglers (M1), als auch
ein aktiv geschalteter Freilaufpfad (M2) integriert. Der
KIS-3R33S besitzt zusätzlich eine relativ große, externe Freilaufdiode. Während
der kurzen Übergangsphase, in der der Transistor M1 bereits abgeschaltet, der
Transistor M2 aber noch nicht eingeschaltet ist, fließt der Strom der
Induktivität über die Body-Diode von M2. Die relativ hohe Flussspannung der
Body-Diode erzeugt verhältnismäßig viel Verlustleistung. Die externe
Freilaufdiode bietet in dieser Übergangsphase einen alternativen, effizienteren
Strompfad.
Die restlichen
Schaltungsteile stellen die üblichen Funktionen eines Schaltreglers dar.
Die Abmessungen des Schaltregler-Dies betragen 1,9mm x 1,8mm. Den Großteil der Fläche nehmen die zwei großen Leistungstransistoren ein.
Die interne Bezeichnung des Schaltreglers lautet anscheinend MP9924.
Das hier rechts oben zu sehende Bondpad ist von einer auffälligen Rahmenstruktur umgeben. Wahrscheinlich handelt es sich dabei um das Bondpad des Bootstrap-Kondensators, wo vergleichsweise hohe Spannungen anliegen können. Dazu passend wird das Potential nach links zu einer mittelgroßen Struktur geführt, die mit ziemlicher Sicherheit den Treiber des ebenfalls dort angebundenen Highside-Leistungstransistors darstellt.
Auf der Oberfläche der Leistungstransistoren kann man die Strukturen der einzelnen, kleinen MOSFETs erkennen, deren Parallelschaltung die notwendige Stromtragfähigkeit darstellt.
