Der Texas Instruments SNJ54AS832 enthält sechs OR-Gatter mit jeweils zwei Eingängen. Der Baustein stellt einen "OR-Driver" dar, der an seinen Ausgängen bis zu +/-40mA treiben kann. Als 54-Variante ist der Schaltkreis für den militärischen Temperaturbereich spezifiziert (-55°C - 125°C). Der Buchstabe J zeigt, dass Entwicklung, Fertigung und Testing der Norm MIL-STD-883 entspricht. Die Schaltung gehört zu der sehr schnellen Familie "Advanced Schottky", wie sie genauer im Rahmen des Gatters SNJ54AS04 beschrieben ist. Die Gehäusebezeichnung lautet LCCC-20 (Leadless Ceramic Chip Carrier).
Die Versorgungspotentiale sind über zwei parallele Bonddrähte mit dem Die verbunden.
Die Abmessungen des Dies betragen 2,5mm x 1,7mm. In der oberen linken Ecke befindet sich in der Metalllage die Zeichenfolge AS832A, ein Verweis auf die Bezeichnung des Bausteins. Interessant ist die Zeichenfolge AS804A in der unteren linken Ecke. Sie befindet sich in einer tieferen Lage. Offenbar stellt der SN54AS804 die Grundlage dar, die mit einer anderen Metalllage in einen SN54AS832 umkonfiguriert werden kann. Der SN54AS804 enthält sechs NAND-Treiber mit jeweils zwei Eingängen.
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Die sechs Gatter sind deutlich zu erkennen und relativ übersichtlich, da die Schaltung mit nur einer Metalllage aufgebaut wurde.
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Texas Instruments zeigt im "Supplement to TTL Data Book Volume 3" wie die Schottky-Transistoren der AS-Logikfamilie aufgebaut sind. Im Gegensatz zur S- und LS-Familie wurde bei der AS-Logik Ionenimplantation für die Dotierung verwendet. Das erlaubt es die verschiedenen Dotierungsbereiche genauer einzustellen. Außerdem hat man um die Transistoren Oxidgräben eingebracht, was die parasitären Kapazitäten reduziert.
Die realen Strukturen lassen sich nicht ohne Weiteres erklären. Auf den ersten Blick erinnern die Transistoren eher an MOSFETs. Offenbar setzen sich nicht alle Bereiche optisch ab. An mehreren Stellen müssten sich Widerstandsstreifen befinden. Hier sind im linken oberen Bereich zwei entsprechende Kontakte zu erkennen. Der Widerstandsstreifen selbst ist nicht sichtbar.
Die Leistungstransistoren an den Ausgängen sehen eher wie gewöhnliche Bipolartransistoren aus.
