Der Intel 80286 ist der Nachfolger des 8086. Er wurde auch von anderen Halbleiterherstellern produziert. Der führende Buchstabe R steht für das CLCC-Gehäuse (Ceramic Leadless Chip Carrier). Die Zahl 6 am Ende der Bezeichnung zeigt, dass der Prozessor mit einer Taktfrequenz von bis zu 6MHz betrieben werden kann. Maximal waren bis zu 12,5MHz möglich.
Im Gehäuse fällt an der rechten Kante ein verbogener Bonddraht auf. Das lässt sich nicht durch eine Berührung beim Öffnen des Deckels erklären, da der benachbarte Bonddraht unbeschädigt teilweise über dem verbogenen Bonddraht verläuft.
Die Abmessung des Dies betragen 8,8mm x 8,7mm. Intel nutzte zur Herstellung den sogenannte HMOS III Prozess, einen NMOS-Prozess mit Strukturbreiten von 1,5µm.
Für die Verteilung der Versorgungspotentiale hat man sehr viele Leitungen genutzt, die man mit viel Bedacht oft sternförmig verlegt hat.
Dieses Bild ist auch in einer höheren Auflösung verfügbar: 134MB
Das Design stammt offensichtlich aus dem Jahr 1982.
In der unteren linken Ecke des Dies befindet sich eine überraschend große Ladungspumpe. Sie erzeugt das negative Potential, das mit dem Substrat verbunden ist. Passend zu der sehr großen Ladungspumpe fordert das Datenblatt extern zusätzlich einen überraschend großen 47nF Kondensator, um das Substratpotential zu puffern. Da dieser Kondensator beim Anlegen der Versorgungsspannung aufgeladen werden muss, ist der 80286 erst nach 5ms arbeitsfähig.
