Richi´s Lab

ST Microelectronics TDA7396

TDA7396

Der TDA7396 ist 2Ω-stabil und kann dabei bis zu 45Wrms liefern (10% THD). An 4Ω ergeben sich 27Wrms. Um ohne einer negativen Versorgungsspannung und einem Koppelkondensator auszukommen, besitzt der TDA7396 eine H-Brücke am Ausgang.

 

TDA7396 Aufbau

Der Verstärker ist auf einem 4,71mm x 3,79mm großen Die integriert.

 

TDA7396 Die

Das Die ist mit einer Schutzschicht überzogen, die vermutlich aus Polyimid besteht. An dieser Schicht haften Reste des Gehäusematerials relativ stark.

Neben elf Bondpads findet sich in der linken oberen Ecke ein Testpad, das in der Schutzschicht entsprechend ausgespart wurde.

 

TDA7396 Die Schaden

Wie üblich erfordert das Zersetzen der vermeintlichen Polyimidschicht höhere Temperaturen, was schnell zu Schäden an der Metalllage führt.

 

TDA7396 Die

Der TDA7396 besitzt zwei Metalllagen. Es ist deutlich eine Zweiteilung zu erkennen. Im unteren Bereich befinden sich die großen Leistungstransistoren. Im oberen Bereich sind die restlichen Schaltungsteile des Verstärkers integriert.

 

TDA7396 Die Detail

Das Design scheint ST Microelectronics 1994 entwickelt zu haben.

 

TDA7396 Die Detail

TDA7396 Die Detail

An der unteren Kante befinden sich zwei Zeichenfolgen. Die Beschriftung lässt sich nicht ganz eindeutig identifizieren. Teilweise scheinen unterschiedliche Zeichen übereinander platziert worden zu sein.

 

TDA7396 Die Endstufe

Der grundsätzliche Aufbau der Endstufe lässt sich relativ gut erkennen. An den Außenkanten befinden sich die zwei Highside-Treiber der H-Brücke. Die zwei Lowside-Treiber sind mittig platziert. Die Bondpads der Versorgung und der Ausgänge sind so angeordnet, das sich für die hohen Ströme möglichst kurze Wege ergeben. Zusätzlich wurden diese Potentiale mit jeweils zwei Bonddrähten angebunden.

Die Highside-Treiber nehmen deutlich mehr Fläche ein als die Lowside-Treiber. Vermutlich wurde auf der Highside ein PNP-Transistor eingesetzt, um den verfügbaren Spannungsbereich möglichst gut auszunutzen. Nachdem PNP-Transistoren oftmals schlechtere Eigenschaften aufweisen als NPN-Transistoren, würde das die größere Fläche erklären.

Oberhalb der Lowside-Transistoren befinden sich weitere etwas größere Strukturen, die höchstwahrscheinlich die Treiber der H-Brücke abbilden.

Die großen Metallflächen oberhalb der Highside-Transistoren könnten die Rückkopplungskondensatoren des Verstärkers sein.

 

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