Der Motorola ZCM38818 ist ein 8kB-Masken-ROM, in dem sich das Programm des ZX81 befindet. Wie sich noch zeigen wird, basiert das ROM auf dem MCM68364.
Das Blockschaltbild im Datenblatt des MCM68364 zeigt nichts Überraschendes.
Das Die ist 5,4mm x 5,1mm groß. Der Speicherbereich ist zweigeteilt. Über die Schaltung zwischen den zwei Flächen wird in jedem der zwei Bereiche eine Spalte aktiviert. Gleichzeitig werden am linken Rand jeweils zwei Doppelzeilen ausgewählt. Am rechten Rand stehen dann die Informationen von acht Speicherzellen an, die an die acht Ausgänge weitergeleitet werden.
Dieses Bild ist auch in einer höheren Auflösung verfügbar: 148MB
An der linken Kante ist die Bezeichnung MCM68364 abgebildet. Das thermische Freilegen des Dies hat dazu geführt, dass die Metalllage ein Stück weit in die aktiven Bereiche und in das Polysilizium diffundiert ist.
Über die Kanten sind einige Teststrukturen verteilt. In der oberen rechten Ecke befindet sich eine etwas komplexere Struktur. An der rechten Kante sind außerdem einzelne Speicherzellen abgebildet.
Die Auswahl einer Doppelzeile innerhalb des Speichers erfolgt, indem eine horizontale Leitung auf Vss-Potential gelegt wird (grün). Die Leitungen in der Metalllage stellen abwechselnd Auswahl- und Ausleseleitungen dar. Die Auswahlleitungen sind die weiter nach links geführten Leitungen. Ist eine Auswahlleitung inaktiv, so überträgt sie ein positives Potential. Die Spaltenauswahl erfolgt über eine geschwungen geführte, vertikale Polysiliziumleitung (rosa). Die Polysiliziumleitung kann Verbindungen zwischen den Auswahlleitungen und den dazwischen liegenden Ausleseleitungen schaffen. Ob dort eine leitende Verbindung entsteht, hängt davon ab, ob im Substrat ein Streifen des aktiven Bereichs eingebracht wurde.
Wie die Auswahlleitungen führen auch die Ausleseleitungen initial ein positives Potential. Nur neben der aktiven Auswahlleitung können die Ausleseleitung überhaupt das Vss-Potential annehmen. Ob sie das tun, entscheidet sich daran, ob mit der Polysiliziumleitung ein Transistor aufgebaut wurde oder nicht. Die Programmierung des Bausteins erfolgt folglich über die Maske, die die aktiven Strukturen im Substrat definiert. Jeder diagonal verlaufende Transistor (oder seine Abwesenheit) entspricht einer Speicherzelle. Ausgewertet werden immer die zwei Ausleseleitungen, die die aktive Auswahlleitung flankieren (rot).
