Der Xicor X28C512EMB-15 ist ein EEPROM mit einer Speichertiefe von 64kB. Der Buchstabe E zeigt, dass es sich um ein LCC-Gehäuse mit 32 Kontakten handelt. Das M steht für den militärischen Betriebstemperaturbereich (-55°C bis 125°C). Es existieren Sortierungen mit verschiedenen Zugriffszeiten. Die Zahlen 15 am Ende zeigen, dass hier ein Baustein mit einer mittleren Zugriffszeit von 150ns vorliegt.
Das Die des Speichers ist 7,9mm x 6,4mm groß. Im Zentrum befindet sich eine sehr große, homogene Speicherfläche. Rechts, oberhalb und unterhalb der Speicherfläche sind die notwendigen Hilfsschaltungen integriert.
Dieses Bild ist auch in einer höheren Auflösung verfügbar: 92MB
Einige Bondflächen an der linken Kante sind offensichtlich beschädigt. Das ist besonders verwunderlich, weil dieser X28C512 für den Einsatz im militärischen Bereich spezifiziert wurde, wo die Anforderungen an die Qualität besonders hoch sind. Springt man zurück zum Bild des offenen Gehäuses, so zeigt sich deutlich, dass an diesen Stellen der erste Bondvorgang nicht erfolgreich war. Im Gehäuse finden sich noch die Überreste des ersten Bondvorgangs.
Das Design stammt offensichtlich aus dem Jahr 1989. Unterhalb des Xicor Schriftzugs befinden sich die japanischen Zeichen ザイコー. Dahinter verbirgt sich der Name Zaiko. In der Anime Serie Dragonball ist Zaiko der geklonte Sohn des Hauptdarstellers Goku. Zaiko wurde auch Xicor genannt, wodurch sich der Kreis schließt.
Das A am Ende der Bezeichnung X28C512A könnte für die Revision des Designs stehen.
An der rechten Kante des Dies sind einige Buchstaben abgebildet. Vermutlich handelt es sich um die Initialen der beteiligten Entwickler.
An der linken Kante befinden sich die Revisionen von acht Masken.
Im Ritzgraben sind Überreste von Teststrukturen zu erkennen. In dem hier abgebildeten Bereich kann man offenbar prüfen welche Strukturbreiten sich darstellen lassen. Die kleinsten Strukturen sind vermutlich 0,6µm breit. Es könnte sein, dass die minimale Strukturbreite des Prozesses etwas höher liegt und man mit den kleinsten Strukturen lediglich prüft, wie nah man sich an der Grenze des Machbaren bewegt.
An der rechten Kante des Dies befinden sich zusätzliche Teststrukturen.
In den Ecken sind in unteren Lagen weitere verhältnismäßig große quadratische Hilfsstrukturen integriert.
In vielen Schaltungsteilen hat man Rechtecke platziert, die man für spezielle Messungen auf dem Die nutzen kann. Da sich diese speziellen Testpunkte unter der Passivierungsschicht befinden, muss man sie für eine Kontaktierung zuerst freilegen. Im Fall einer Fehlersuche innerhalb der Schaltung ist dieser Aufwand aber akzeptabel.
Der Aufbau der Speicherzellen selbst ist auf Grund der kleinen Strukturbreiten nicht zu erkennen. An der oberen und rechten Kante der Speicherfläche befinden sich die Schaltungsteile, die das Lesen und Schreiben realisieren.
