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Microsemi 1N821

1N821

1N821

1N821

Die 1N821 ist eine temperaturkompensierte Z-Diode, wie die 1N829A. Die 1N821 ist eine schlechtere Sortierung mit einem Temperaturkoeffizienten von 0,01%/°K.

Während die dokumentierte 1N829A mindestens auf das Jahr 1984 zurück geht, handelt es sich bei der hier vorliegenden 1N821 höchstwahrscheinlich um eine aktuellere Produktion. Sie wurde 2022 über Mouser bezogen. Der Hersteller Microsemi gehört mittlerweile zu Microchip Technology.

 

1N821 Aufbau

1N821 Aufbau

In der Mitte des Glasgehäuses ist das Die zu erkennen. Das Bild verbessert sich, wenn man das Gehäuse vorsichtig aufbricht. Die roten Bereiche sind so behandelt, dass sie sich verlässlich mit dem Glas verbinden. Darauf sind runde Metallelemente aufgebracht, die jeweils eine Art Sockel besitzen. Das Die in der Mitte ist 0,23mm dick.

 

1N821 Aufbau

Hier ist der Aufbau bereits zerlegt. Die erhöhte Platzierung durch den Sockel ist deutlich zu erkennen.

 

1N821 Kontakt

1N821 Kontakt

Die Kontaktierung ist komplexer als man vermuten würde. Auf beiden Sockeln befindet sich eine sehr glatte Schicht, die an eine Siliziumfläche erinnert. Um den Kontaktbereich ist eine runde Struktur zu erkennen.

 

1N821 Die

Der Siliziumblock in der Mitte besitzt auf beiden Seiten runde, zu den Sockeln passende Kontaktbereiche. Der optischen Erscheinung nach enthält der rote Bereich die initiale Dotierung des Substrats. Der grüne Bereich enthält höchstwahrscheinlich die dazu inverse Dotierung und erzeugt so eine Diodenstruktur. Die beiden Dioden auf den beiden Seiten sind über das Substrat miteinander verbunden und es ergibt sich die gewünschte Serienschaltung aus einer Z-Diode und einer in Flussrichtung gepolten Diode. Wie im Rahmen der SZY22 beschrieben, kompensieren sich so die Temperaturkoeffizienten der beiden Dioden.

Die Sockel dienen anscheinend lediglich der Kontaktierung. Warum dort die verhältnismäßig komplexe Oberfläche aufgebaut wurde, bleibt unklar.

 

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