Der EDI8832C ist ein SRAM des amerikanischen Herstellers Electronic Design Inc. Die Bezeichnung EDI8832C120CI verrät wie der Speicher aufgebaut ist und welche Spezifikationen er einhält. EDI ist der Hersteller. Die erste 8 steht für die Produktgruppe SRAM. Die zweite 8 ist die Wortbreite und die Zahl 32 ist die Speichertiefe, so dass sich 32k * 8Bit ergeben. Der Buchstabe C zeigt, dass 4T-Speicherzellen verwendet wurden. Es gibt auch Varianten mit 6T-Zellen. 120ns ist die Zugriffszeit. Die letzten beiden Buchstaben zeigen, dass es sich um ein Keramikgehäuse handelt und der Baustein für den industriellen Temperaturbereich freigegeben ist.
Im "CMOS Static RAM DATA BOOK" beschreibt EDI die Unterschiede zwischen 4T- und 6T-SRAM-Zellen. Während bei einer 4T-Zelle zwei Transistoren mit zwei Widerständen einen logischen Wert abspeichern, übernehmen diese Funktion bei einer 6T-Zelle zwei CMOS-Paare. Die Transistoren rechts und links der eigentlichen Speicherzelle ermöglichen das selektive Ansprechen einer Word Line. Der größte Nachteil von 6T-Zellen ist der höhere Flächenbedarf. Dazu kommt eine etwas höhere Zugriffszeit. Vorteilhaft ist der geringere Leistungsbedarf im Vergleich zu einer 4T-Zelle.
Das Blockschaltbild im Datenblatt zeigt die grundsätzliche Funktionsweise des Bausteins. Es handelt sich allerdings eher um eine Prinzipdarstellung. Zwar ist das Speicherarray 256kBit groß, es sind aber nur 14 Adressleitungen dargestellt. Sechs Adressleitungen aktivieren demnach vier Zeilen. So ergeben sich 4096 aktive Spalten, die von den verbliebenen acht Adressleitungen in dieser Darstellung nur auf 16Bit reduziert werden können. Die Steuerung sorgt dann dafür, dass aus den aktiven Zellen gelesen oder in die Zellen geschrieben wird.
Im Gehäuse findet sich ein verhältnismäßig großes Die. Die zwei Versorgungspotential sind mit jeweils zwei Bonddrähten niederohmig angebunden. Das Material, dass das Die mit dem Gehäuse verbindet, ist in den Zwischenräumen überraschend stark verkratzt.
Das Die ist mit einer Polyimidschicht überzogen. Wie dick diese Schicht ist, zeigt sich bei den Aussparungen für die Bondpads.
M5256B dürfte eine interne Bezeichnung sein. Sie lässt vermuten, dass das Design von Mitsubishi stammt. Mitsubishi hatte einen SRAM mit ähnlichen Spezifikationen als M5M5256 im Portfolio. Vor und hinter der Bezeichnung sind einige Teststrukturen abgebildet, die es ermöglichen die Leistungsfähigkeit des Herstellungsprozesses zu beurteilen.
Die Abmessungen des Dies betragen 8,2 x 4,6mm. Links befinden sich die Ein-/Ausgänge für die Daten. Von rechts treffen die Adressleitungen ein. Der Speicher setzt sich aus zwei Bereichen zusammen, die wiederum zwei gleich strukturierte Flächen enthalten. Die breiten Streifen zwischen diesen Flächen enthalten wahrscheinlich die Spaltenauswahl. Die genaue Funktionsweise lässt sich wegen der Polyimidschicht nicht mit letzter Sicherheit klären.
An der rechten Kante des Dies ist ein Streifen mit Teststrukturen integriert.
Jede der vier Speicherflächen wird auf der linken Seite mit acht gleich aussehenden Strukturen kontaktiert. Im Detail kann man erkennen, dass jede dieser Strukturen jeweils 16 Leitungen enthält. Das spricht dafür, dass der Speicher 512 Zeilen enthält. Die Adressleitungen, die für die Spaltenauswahl nicht benötigt wurden, ermöglichen daraus die Selektion von den gewünschten 8Bit.
In der Mitte des Dies findet sich ein interessantes Artefakt. Anscheinend wurde der Schaltkreis dort überlastet. Die Polyimidschicht ist regelrecht aufgebrannt. Der Ort des Schadens überrascht. Derart energiereiche Überlastungen würde man eher im Bereich der Ein-/Ausgänge erwarten.
