ON Semiconductor verkauft den LM2904 ohne Index und mit den Indizes A und V. Bei der Variante A ist der maximale Eingangsstrom etwas niedriger. Die Variante V ist für einen erweiterten Betriebstemperaturbereich spezifiziert: -40°C bis +125°C statt -40°C bis 105°C. Hier handelt es sich um den LM2904ADMR2G, die A-Variante mit dem niedrigeren Eingangsstrom. Auf dem Micro8 Gehäuse sind nur die Zeichen 904A abgebildet.
Eine Besonderheit findet sich bei den LM2904 im SOIC-8 Gehäuse. Sie sind Großteils etwas weniger robust gegenüber ESD als alle anderen Gehäusevarianten. Lediglich die SOIC-8 Gehäuse, die zusätzlich den Index E tragen sind ebenso robust wie die anderen LM2904. ON Semiconductor beschreibt in der FPCN20984X, dass der LM2904DR2G mit einigen anderen Bausteinen zusätzlich in einer externen Fab produziert wird. Dafür wurde das Design überarbeitet, was die ESD-Festigkeit reduziert hat.
ON Semiconductor hat im Datenblatt einen Schaltplan abgedruckt. Die Platzierung der Bauteile ist etwas verwirrend, die Schaltung entspricht aber demnach zum Großteil dem, was man von anderen LM2904-Varianten kennt. Die Transistoren Q18 und Q20 besitzen zusätzliche Kollektoren, um die Verstärkung des Differenzverstärkers zu reduzieren. Hier wird der Kollektorstrom allerdings nicht nach Masse abgeleitet, sondern zum jeweiligen Eingangstransistor geführt.
Ein weiterer Unterschied findet sich in der Spannungsverstärkerstufe. Bei Texas Instruments handelt es sich um eine Abfolge von einem PNP- und zwei NPN-Transistoren. Mit Q5, Q6 und Q9 ist der Aufbau bei ON Semiconductor nicht anders. Allerdings befindet sich unter Q6 die Stromsenke Q26. Offenbar kompensiert diese Stromsenke den Leckstrom von Q6, den sonst eine Diode oder ein Widerstand ableitet.
Ein weiterer Unterschied scheint die Ansteuerung der Stromsenke Q10 am Ausgang zu sein. Der Verschaltung nach handelt es sich hier nicht um eine konstante Stromsenke. Den Basisstrom von Q10 muss Q7 über seinen Basisanschluss liefern. Damit wäre der Strom durch Q10 von der Aussteuerung der Spannungsverstärkerstufe abhängig. Abgesehen davon würde sich der Strom reduzieren, wenn am Ausgang ein niedriger Pegel anliegen soll, was unlogisch erscheint.
Ein Blick in ein altes LM2904-Datenblatt von Motorola zeigt, dass das Schaltbild wohl von dort übernommen wurde. Außerdem findet sich hier ein Unterschied. Die Leitung, die von Q16 zu Q26 führt, ist mit der Basis von Q7 verbunden. So stellen die Transistoren Q26 und Q10 vollwertige Stromsenken dar. Q10 kennt man von anderen LM2904 Varianten. Q26 leitet wie bereits beschrieben den Leckstrom von Q6 ab. Der Transistor Q7 bildet einen Pfad, über den der Strom der Stromquelle Q16 abfließen kann, wenn Q6 sperrt. Damit wird verhindert, dass durch einen fehlenden Stromfluss durch Q6 die anderen Stromquellen beeinflusst werden. Auch das kennt man von anderen LM2904 Varianten.
Die Abmessungen des Dies betragen 1,3mm x 0,8mm. Die Zahlen 158 verweisen auf den LM158, den Vorgänger des LM2904.
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Die auf dem Die integrierte Schaltung ist etwas einfacher ausgeführt. Eine Leckstromkompensation von Q10 erfolgt nicht. An den Eingängen hat man Schutzstrukturen integriert. Dabei handelt es sich nicht um einfache Dioden. Der optischen Erscheinung nach sind es NPN-Transistoren mit gebrückter Basis-Emitter-Strecke, die zum negativen Versorgungspotential führen. Sie arbeiten offenbar als Zenerdioden. In den Transistoren Q2 und Q4 erfolgt eine Reduktion der Transkonduktanz der Eingangsstufe. Die Transistoren sind zwar nur zweigeteilt, der mit Masse verbundene Teil ist aber deutlich größer.
