Beim hier zu sehenden Baustein wurde die Beschriftung entfernt. Wie sich noch zeigen wird, handelt es sich um einen TLC074 von Texas Instruments. Die Operationsverstärker aus der TLC07x-Familie sind die Nachfolger der TL07x-Reihe. Die meisten Spezifikationen wurden verbessert. Die Bandbreite beträgt 10MHz, mit einer Slewrate von bis zu 16V/µs. Man muss mit einer maximalen Offsetspannung von 1mV rechnen, die typischerweise mit 1,2µV/°C driftet. Typisch für modernere Designs wurde der Versorgungsspannungsbereich abgesenkt. Während die TL07x-Operationsverstärker 7 - 36V zulassen, sind für die TLC07x-Varianten 4,5 - 16V spezifiziert. Die Ausgänge können mehr als 50mA treiben.
Die TLC07x-Familie bietet einige Varianten, darunter auch Gehäuse mit verbesserter Wärmeleitfähigkeit. Der TLC074 beinhaltet vier Operationsverstärker. Die Variante TLC075 bietet zusätzlich die Möglichkeit die Operationsverstärker paarweise abzuschalten.
Die Abmessungen des Dies betragen 2,4mm x 1,4mm. Es wurde laut Datenblatt mit dem LBC3 BiCMOS-Prozess gefertigt.
Die Bereiche der vier Operationsverstärker sind deutlich zu erkennen. Bei genauerer Betrachtung kann man identifizieren, wo die Bondpads für die Versorgungsspannung, die Eingänge und die Ausgänge platziert sind. Im rechten Bereich befinden sich zwei ungenutzte Bondpads.
Auf dem Die findet sich die Bezeichnung TLC075. Das ist so weit plausibel. Für den TLC074 und den TLC075 kommen offensichtlich dieselben Designs zum Einsatz, beim TLC074 werden lediglich die Shutdown-Eingänge nicht nach außen geführt. Die Schaltung geht auf das Jahr 1999 zurück, was mit der ersten Revision des Datenblatts übereinstimmt.
Der vorliegende TLC074 wurde offensichtlich massiv überlastet. Am deutlichsten ist dies beim Operationsverstärker in der oberen rechten Ecke zu erkennen. In den großen, regelmäßigen Strukturen, den Eingangstransistoren, sind zwei Bereiche geschwärzt. Aber auch alle anderen Schaltungsteile sind großflächig verfärbt.
Die Eingangstransistoren nehmen einen sehr großen Teil des Dies ein. Die MOSFETs besitzen eine verhältnismäßig große Länge. Das erhöht den Ausgangswiderstand und damit die Gleichtaktunterdrückung. Um gleichzeitig eine ausreichende Verstärkung ("Steilheit") erreichen zu können, muss der MOSFET aber auch sehr breit sein. So ergibt sich ein großer Flächenverbrauch. Parallel dazu reduziert eine große aktive Fläche das Rauschen und sorgt für verhältnismäßig kleine Unterschiede zwischen den beiden Transistoren, was wiederum die initiale Offsetspannung niedrig hält.
