Die hier dokumentierten Bauteile sind Fälschungen des AOTF27S60. Bei den Originalen sind keine Zahlen im oberen Bereich eingeprägt und die Pins haben eine andere Form. Das könnte sich noch durch Änderungen im Backend erklären lassen. Die Oberflächen der Gehäuse sind aber äußerst auffällig. Die Oberflächenstrukturen sind unterschiedlich. Bei einigen Transistoren kann man Schleifspuren erkennen. Teilweise wurde so viel Material abgetragen, dass die runde Vertiefung zum Teil verschwunden ist.
Die Abmessungen des Dies betragen 4,9mm x 3,9mm. Es ist damit etwas kleiner als das Die im originalen AOTF27S60. Die aktive Fläche ist zweigeteilt.
Der MOSFET besitzt eine ungewöhnliche Randstruktur. Eine besonders hohe Spannungsfestigkeit lässt die Struktur nicht vermuten.
Vom Gate-Potential führen kurze Streifen zu den MOSFET-Zellen. Vermutlich stellen diese Streifen einen gewissen Gatewiderstand dar.
Im Gegensatz zum originalen AOTF27S60 hat man hier einzelne MOSFET-Zellen integriert. Auch diese Metalllage scheint relativ dick zu sein.
