Der BUZ100 ist ein n-Kanal Leistungs-MOSFET. Für den BUZ100T im D2PAK-Gehäuse findet sich kein Datenblatt. Die alte TO220-Variante sperrt bis zu 50V und leitet bis zu 60A mit einem Widerstand von 18mΩ. Entwickelt hat man diese Transistorfamilie noch bei Siemens. Daher rührt der Name SIPMOS (Siemens Power MOS). Das obige Modell wurde bereits von Infineon produziert.
Die Kantenlänge des Transistors beträgt 4,5mm. Die große Source-Metallfläche wurde mit zwei Bonddrähten kontaktiert. Für das Gatepotential hat man einen Bonddraht mit einem dünneren Querschnitt verwendet. Das helle Rechteck in der oberen linken Ecke ist offensichtlich ein Vorhalt, über den man einen Hilfs-Sourcekontakt anbinden könnte.
In der Metalllage befinden sich runde Kontakte mit einem Durchmesser von ungefähr 10µm.
Im "SIPMOS Components Data Book 1987/88" zeigt Siemens den Aufbau der SIPMOS-Transistoren. Für ein besseres Verständnis wurde die Zeichnung hier eingefärbt. Die Öffnungen zum Substrat und damit auch die Vertiefungen in der Metalllage sind quadratisch. Das hat sich entweder im Lauf der Zeit geändert oder man hat es absichtlich nicht ganz korrekt dargestellt.
