Wie sich gleich zeigen wird, handelt es sich bei dem hier dokumentierten VN05N um eine Fälschung. Die Beschriftung erscheint auf den ersten Blick unauffällig. Bei genauerer Betrachtung zeigt sich allerdings, dass die Buchstaben in der ersten Zeile unterschiedliche Abstände zueinander halten. Auch die Höhen variieren minimal.
Im Gehäuse findet sich ein Die mit den Abmessungen 3,3mm x 4,1mm. Die Schaltung basiert auf einem Prozess mit bipolaren Transistoren. Es handelt sich aber anscheinend immerhin um eine intelligente Highside-Endstufe. Vergleichbar mit dem VN05N ist die Schaltung aber nicht.
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Das Design wurde von ST Microelectronics im Jahr 1992 entwickelt. Wie im Rahmen des NE555 beschrieben, stehen die Zeichen 802 A5 höchstwahrscheinlich für den Fertigungsprozess. Die Zeichenfolge CL019E könnte dann die interne Projektbezeichnung sein.
Hier ist links ein Ausschnitt des NPN-Transistors zu sehen, dessen Emitter zum Ausgang führen. Die große Fläche an der rechten Kante ist mit dem Ausgangspotential und dem Massepotential verbunden. Hierbei scheint es sich um eine Freilaufdiode zu handeln. Zwischen Transistor und Diode befindet sich eine kleine Diode zur Temperaturmessung.
Das Gehäuse und die Strukturen lassen vermuten, dass es sich um einen L9350 oder einen L9351 handeln könnte. Bei diesen Bausteinen befindet sich laut Datenblatt unter dem Highside-Transistor nicht nur eine Freilaufdiode, sondern eine Serienschaltung aus einer Freilauf- und einer Zenerdiode. Das könnte die zusätzlichen, rötlichen Strukturen im rechten Bereich erklären.
