Der КП350 (KP350) ist ein Dual-Gate n-Kanal-MOSFET. Wie bei vielen sowjetischen Halbleitern ist auch hier der Hersteller nicht zu erkennen. Produziert wurde der Baustein im Jahr 1985. Eine Beschreibung des KP350 findet sich in der Radio Fernsehen Elektronik (Heft 6 und 7, 1975). Mit Arbeitsfrequenzen bis zu 400MHz wird er dort als Alternative zum 3N140, 3N141 und TIXS35 geführt. Die maximal zulässige Sperrspannung beträgt 15V. Der maximal zulässige Drainstrom wird mit 30mA angegeben. Die Indizes A, B und V kennzeichnen verschiedene Sortierungen.
Der KP350 besitzt keine Schutzdioden an den Gateelektroden. Diese Kontakte müssen entsprechend vor Überspannungen geschützt werden. Vor dem Einbau in eine Schaltung sorgt eine Kunststoffhülse dafür, dass die Pins elektrisch miteinander verbunden bleiben.
Der KP350 ist ein Verarmungstyp, also ein selbstleitender Transistor. In der RFE-Spezifikation ist dargestellt, dass man den MOSFET sowohl mit postiven, als auch mit negativen Gate-Source-Spannungen steuern kann.
Das Gehäuse des KP350 ist mit dem Sourcepotential verbunden.
Die Kantenlänge beträgt 0,74mm. Im unteren Bereich kommt die Bruchkante den aktiven Strukturen sehr nahe. An der oberen Kante befinden sich einige Strukturen, die es ermöglichen die Fertigungsqualität zu beurteilen.
Die Drain-Elektrode befindet sich in den aktiven Strukturen ganz innen. Sie ist von der Gate-Elektroden 2 und 1 umgeben. Das Source-Potential umfasst diese Bereiche und kontaktiert auch das Substrat.
