Der Dual-Gate-MOSFET SM200 sperrt bis zu 20V und leitet bis zu 30mA. Über das SOT-103 Gehäuse kann eine Verlustleistung von bis zu 300mW abgeführt werden. Die typische Arbeitsfrequenz liegt im VHF-Bereich. Man findet den Transistor unter anderem in UKW-Tunern. Der SM200 wurde im Funkwerk Erfurt als Alternative zum 3N200 entwickelt. Die beiden n-Kanal-MOSFETs sind allerdings nicht ganz gleich. Während der SN200 ein gewöhnlicher Anreicherungstyp ist, handelt es sich beim 3N200 um einen Verarmungstyp, also einen selbstleitenden MOSFET.
Die Produktion des SN200 erfolgte später auch in Neuhaus im VEB Mikroelektronik "Anna Seghers". Auf diesem Gehäuse ist in der Mitte das Logo des Funkwerk Erfurts abgebildet. Außerdem finden sich die Zeichen V6, die auf eine Produktion im zweiten Quartal 1987 hinweisen. Für den SM200 wurde im Funkwerk Erfurt eine neue Technologie eingeführt. Der SM200 ist der erste dort entwickelte DMOS-Transistor. DMOS steht für "Double Diffused MOS". Der Einsatz von zwei Diffusionsprozessen ermöglicht es Strukturen zu erzeugen, die bessere elektrische Eigenschaften bieten als die einfacheren MOSFETs, die mit nur einem Diffusionsprozess gefertigt werden.
Das Datenblatt zeigt die Pinbelegung des SM200. Zwei Zenerdioden schützen die Gateelektroden vor Überspannungen.
Die Kantenlänge des Dies im SM200 beträgt 0,55mm. An der oberen Kante findet sich die Bezeichnung SM200 und das Logo des Funkwerks Erfurt. Die Zahlen 84 könnten für das Jahr 1984 stehen. Die Zahl 2 könnte eine zweite Revision kennzeichnen. Sicher ist das allerdings nicht. Im linken Bereich zeigen mehrere Quadrate verschiedene Prozessschritte. Im unteren Bereich findet sich eine 1 und eine 2 in unterschiedlichen Schichten.
An der linken und der unteren Kante finden sich Streifen in einer unteren Schicht und Spitzen in der Metalllage. Die Abstände in den verschiedenen Lagen sind unterschiedlich. So kann man wie bei einer Schiebelehre einfach und genau ablesen wie weit die beiden Lagen gegeneinander verschoben sind.
Das Source-Bondpad befindet sich im äußeren Bereich und kontaktiert sowohl das Substrat als auch die äußere Elektrode des eigentlichen MOSFETs. Die beiden Gateelektroden umschließen den Drain-Bereich. Direkt an den Gate-Bondpads befinden sich die Strukturen, die die Schutzdioden der Gateelektroden darstellen.
Bei dem hier zu sehenden Baustein handelt es sich angeblich ebenfalls um einen SM200. Auf der Vorderseite befindet sich keine Beschriftung. Auf der Rückseite ist lediglich die Zahl 59 aufgedruckt.
Die Kantenlänge des enthaltenen Dies beträgt 0,46mm. Es handelt sich um einen Dual-Gate-MOSFET mit sehr ähnlichen aber nicht den gleichen Strukturen wie im obigen SM200. An der oberen Kante sind die Zeichen DM31 abgebildet. Gut informierte Kreise berichten, dass DM31 die Bezeichnung eines sogenannten Testfelds auf einem Wafer war. In diesen Testfeldern wurden neben Teststrukturen auch Prototypen integriert. Wahrscheinlich handelt es sich hier um ein Entwicklungsmuster des SM200.
