Der hier zu sehende International Rectifier IRF1404 trägt den Buchstaben P in der zweiten Zeile, ist also ein IRF1404PbF. Die bleifreie Weiterentwicklung erlaubt mit 202A noch höhere Drainströme als die ursprüngliche Variante IRF1404, die lediglich für einen Drainstrom von 162A spezifiziert ist. Beide Ströme sind selbstverständlich nur theoretische Werte. Das Gehäuse begrenzt den maximal zulässigen Dauerstrom auf 75A. Kurzzeitig erlaubt der IRF1404PbF bis zu 808A. Der typische Widerstand beträgt bei beiden Varianten 4mΩ. Die maximale Sperrspannung liegt bei 40V. Über das TO-220 Gehäuse können bis zu 333W abgeführt werden.
Die Beschriftung ist etwas unsauber ausgeführt, was bei den neueren HEXFET-MOSFETs in diesem Gehäuse aber üblich zu sein scheint.
In der Oberfläche des Gehäuses finden sich drei Löcher, die offensichtlich beim Spritzen des Materials entstanden sind.
Das Die ist mit seinen Abmessungen von 5,8mm x 4,2mm sehr groß für ein TO-220 Gehäuse. Um den niedrigen typischen Widerstand darstellen zu können, hat man die Source-Fläche mit vier dicken Bonddrähten an den Source-Pin angebunden.
Das Datenblatt gibt an, dass es sich um einen HEXFET der siebten Generation handelt. In der Oberfläche der Source-Metallisierung zeichnen sich vertikalen Streifen ab, die sich durch die Kontaktierung der einzelnen MOSFET-Strukturen ergeben.
