Der Hersteller dieses 2N5906 bleibt unklar. Das Logo erinnert an das M von Micro Power Systems, wo diese Dual-JFETs unter der Bezeichnung MP5906 im Programm waren. Bei genauerer Betrachtung passt das Symbol aber doch nicht zu dem Logo von Micro Power Systems.
Im Gegensatz zu den 2N590x-Varianten von Intersil und Harris Semiconductor (2N5909 und 2N5905) ist hier das Die nicht vom Gehäuse isoliert.
Die Abmessungen des Dies betragen 0,72mm x 0,66mm. An der oberen Kante sind Strukturen zur Überwachung des Herstellungsprozesses integriert. Das Zeichen in der unteren rechten Ecke, ein S oder eine 5, lässt keinen Rückschluss auf den Hersteller zu.
An der rechten Kante findet sich ein interessantes Artefakt. Hier scheint sich die Passivierungsschicht durch eine Beschädigung an der Kante in einem kleinen Bereich abgelöst zu haben.
Es fällt sofort auf, dass es sich hier nicht nur um zwei JFETs handelt. Hier wurden zwei Kaskodenschaltungen integriert. Der kleine JFET J1 ist der Eingangstransistor, während der größere JFET J2 den Eingangstransistor vom Ausgang abschirmt. Das reduziert die wirksame Gate-Drain-Kapazität.
Die Gate-Elektrode des Transistors J1 ist nicht nur kürzer, sie ist auch dicker als die Gate-Elektroden des Transistors J2. Die unterschiedlichen Geometrien sind vorteilhaft für die Funktionsweise der Kaskodenschaltung, in der der obere JFET im linearen Bereich arbeitet, während der untere JFET im Sättigungsbereich arbeitet.
