Richi´s Lab

International Rectifier IRF3708 #3 Fälschung

IRF3708 Fälschung

Dieser IRF3708 beginnt erst bei einer Gate-Source-Spannung von 3,0V zu leiten. Es kann sich daher kaum um ein Originalteil handeln.

 

IRF3708 Fälschung Gehäuse

IRF3708 Fälschung Gehäuse

Die Beschriftung ist deutlich nach links verschoben. Die Buchstaben und das IR-Symbol sind unsauber ausgeführt. Das R in der Zeichenfolge R128L scheint außerdem ein Beschriftungsfehler zu sein. Laut Datenblatt befindet sich dort ein P wenn es sich um die bleifreie Variante handelt.

 

IRF3708 Fälschung Aufbau

IRF3708 Fälschung Die

IRF3708 Fälschung Die

IRF3708 Fälschung Die

Das Die lässt sich nicht ganz zerstörungsfrei aus dem Gehäusematerial herausarbeiten. Die Abmessungen betragen 3,3mm x 2,4mm. Das Source-Potential kontaktieren zwei Bonddrähte, von denen relativ lange Abschnitte auf der Metalllage aufliegen.

 

IRF3708 Fälschung Die Detail

Das Gatepotential wird über Leitungen an der oberen und an der unteren Kante des Dies verteilt. Eine spezielle Struktur ist durch die Metalllage nicht zu erkennen. Es bleibt unklar um welchen Transistor es sich hier handelt.

 

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