Von den beiden hier vorliegenden IRF3708 wird einer erst bei einer Gate-Source-Spannung von 3V leitfähig. Das Datenblatt spezifiziert maximal 2,0V. Der andere MOSFET zeigt bei Ugs=0V einen viel zu hohen Leckstrom von 2mA.
Die beiden Transistoren sind gleich beschriftet, wobei die Schrift abhängig vom Lichteinfall teilweise sehr schlecht zu erkennen ist. Betrachtet man die Zeichen genauer, so zeigen sich leichte Unterschiede in den Formen. Das eine Package erscheint außerdem etwas dunkler als das andere.
Im richtigen Licht betrachtet zeichnen sich Riefen ab, die mit Sicherheit beim Abschleifen der Oberfläche entstanden sind.
Der Beschriftungslaser hat dem Packagematerial an manchen Stellen stark zugesetzt.
Bei einem Transistor erscheint die Fläche an der linken Kante inhomogen, was vermutlich auf eine unsaubere Lackierung nach dem Abschleifen zurückzuführen ist.
An der Unterseite des Transistors ist die auslaufende Lackschicht zu erkennen.
Beide Transistoren enthalten das gleiche Die.
Die Abmessungen des Dies betragen 3,9mm x 2,5mm. Die Source-Metallfläche wird mit zwei Bonddrähten kontaktiert.
Der Transistor ist zweigeteilt. Das Gate-Potential wird über einen Metallrahmen verteilt, der die zwei Source-Flächen umschließt.
An der linken Kante befinden sich die Überreste von Teststrukturen, die aber keinen direkten Hinweis auf den Hersteller oder den Transistortyp geben.
Bei ganz genauer Betrachtung meint man in der Source-Fläche sehr dünne horizontale Strukturen erkennen zu können.
