Von den beiden hier vorliegenden IRF3708 wird einer erst bei einer Gate-Source-Spannung von 3V leitfähig. Das Datenblatt spezifiziert maximal 2,0V. Der andere MOSFET zeigt bei Ugs=0V einen viel zu hohen Leckstrom von 2mA. Die beiden Transistoren sind gleich beschriftet, wobei die Schrift teilweise sehr schlecht zu erkennen ist. Das eine Package erscheint etwas dunkler als das andere.
Im richtigen Licht betrachtet zeichnen sich Riefen ab, die mit Sicherheit beim Abschleifen der Oberfläche entstanden sind.
Der Beschriftungslaser hat an manchen Stellen die Oberfläche kaum angegriffen. An anderen Stellen ist das Packagematerial bereits verbrannt.
Bei einem Transistor erscheint die Fläche an der linken Kante inhomogen, was vermutlich auf eine unsaubere Lackierung nach dem Abschleifen zurückzuführen ist.
An der Unterseite des Transistors ist die auslaufende Lackschicht deutlich zu erkennen.
Beide Transistoren enthalten das gleiche Die.
Die Abmessungen des Dies betragen 3,9mm x 2,5mm. Die Source-Metallfläche wird mit zwei Bonddrähten kontaktiert.
Das Die ist größer als das Die in den originalen IRF3708. Abhängig von der Technologie und von der Anwendung muss das allerdings kein Vorteil sein.
Der Transistor ist zweigeteilt. Das Gate-Potential wird über einen Metallrahmen verteilt, der beide Source-Flächen umschließt.
An der linken Kante befinden sich die Überreste von Teststrukturen, die aber keinen direkten Hinweis auf den Hersteller oder den Transistortyp geben.
Bei genauer Betrachtung meint man in der Source-Fläche sehr dünne horizontale Strukturen erkennen zu können.
