Der hier vorliegende 2N6485 wurde von Harris Semiconductor im Jahr 1989 produziert. Das TO-71 Gehäuse enthält zwei n-Kanal J-FETs, die laut Datenblatt auf möglichst geringes Rauschen im niedrigen Frequenzbereich optimiert sind. Durch die sehr ähnlichen Eigenschaften der zwei Transistoren eignet sich der Baustein gut für den Aufbau von Differenzverstärkern.
Der 2N6485 sperrt bis zu 50V und leitet bis zu 7,5mA. Die Rauschspannungsdichte wird mit maximal 10nV/sqrt(Hz) bei 10Hz angegeben. Die Varianten 2N6483, 2N6484 und 2N6485 sind verschiedene Sortierungen, die unterschiedliche maximale Offsetspannungen zwischen 5mV und 15mV bieten. Auch der Temperaturdrift der Offsetspannung variiert zwischen 5µV/°C und 25µV/°C.
Im Gehäuse befindet sich ein verhältnismäßig großes Die. Die Pins der beiden Transistoren sind deutlich voneinander getrennt.
Die Strukturen der J-FETs sind gut zu erkennen. Die rötlichen Streifen stellen die obere p-dotierte Gate-Elektroden dar. Darunter befindet sich der n-dotierte Kanal. Der Kanal ist üblicherweise in ein p-dotiertes Substrat integriert, so dass auch von unten eine Einengung des Kanals erfolgt. Die äußeren Kontakte führen das Source-Potential, der innere Kontakt führt das Drain-Potential.
