Der MFE122 ist ein von Motorola produzierter Dual-Gate-Depletion-MOSFET. Er kann bis zu einer Spannung von 25V eingesetzt werden und leitet bis zu 30mA.
Das typische Einsatzgebiet eines solchen Dual-Gate-MOSFETs sind Hochfrequenzverstärker, in denen das zweite Gate zur Isolation des am anderen Gate anliegenden Eingangssignals genutzt wird. Das reduziert die Gate-Drain-Kapazität, die sich negativ auf den erreichbaren Verstärkungsfaktor auswirkt. Das zweite Gate kann auch zur Einstellung des Verstärkungsfaktors oder für das Mischen von zwei Signalen genutzt werden.
Das isolierte Gate eines MOSFETs ist sehr anfällig gegenüber zu hohen Spannungen. Die vor allem bei Hochfrequenztransistoren sehr kleine Gate-Kapazität führt dazu, dass selbst kleine elektrostatische Entladungen zu schädigenden Spannungen führen. Im MFE122 sind aus diesem Grund an beiden Gate-Elektroden zwei antiserielle Z-Dioden verbaut, die die Gatespannung auf +/-20V begrenzen.
Der MFE120 und der MFE121 stellen anscheinend Sortierungen des Transistors dar.
Das im MFE122 enthaltene Die ist an drei der Anschlussdrähten und an das Gehäuse angebunden.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 0,5mm. An der oberen und unteren Kante sind zehn Quadrate abgebildet, die es ermöglichen den Produktionsprozess zu überwachen.
Das Drain-Potential ist mit einer verzweigten Struktur in der Mitte des Dies verbunden. Um diese Drain-Elektrode sind erst das Gatepotential G2 und dann das Gatepotential G1 angeordnet. Die äußerste Elektrode stellt den Source-Anschluss dar.
Das Gate 2 ist anscheinend minimal anders aufgebaut oder zumindest anders kontaktiert als das Gate 1. Die Leitungen der Metalllage sind beim Gate 2 etwas breiter ausgeführt als beim Gate 1. Vielleicht wollte man so die Kapazität am Gate 1 noch einmal minimal reduzieren.
Innerhalb der Gate-Bondpads sind zusätzliche quadratische Strukturen zu erkennen, die wahrscheinlich die beschriebenen Schutzdioden darstellen.
Während eines Tests kam es zu einer Überlastung der Drain-Source-Strecke, die das Die nachhaltig zerstörte. Der Schaden beschränkt sich auf den Bereich zwischen und um die Drain- und Source-Kontakte.
