Der DN1682 wurde von Siliconix gefertigt. Der Datecode weist auf das Jahr 1984 hin. Die Informationslage ist ansonsten sehr dünn. Das Siliconix FET Databook von 1986 enthält zumindest vier Bauteile, deren Bezeichnung mit DN beginnt und dann noch vier Zahlen führt (DN5564 bis DN5567). Dabei handelt es sich um Dual-J-FETs, deren Transistoren auf möglichst gleiche Eigenschaften sortiert sind.
Ein Vermessung des vorliegenden Bauteils mit einem günstigen Transistortester bestätigt, dass sich im Gehäuse zwei J-FETs befinden.
Im Gehäuse befinden sich zwei einzelne, voneinander isolierte Transistoren. Jeweils ein Pin bildet eine Fläche, auf der das Die platziert wurde. Das Gehäusepotential ist mit einem siebten Pin verbunden und kann somit unabhängig von der restlichen Schaltung behandelt werden.
An den Seitenflächen der Dies ist eine deutliche Kante zu erkennen. Es handelt sich allerdings nicht um einen zweiteiligen Aufbau. Die Dies wurden zweistufig vereinzelt. Es ist ein gängiger Prozess Wafer zuerst mit einem breiteren Werkzeug oberflächlich zu schneiden, bevor die verbleibenden Verbindungen mit einem schmaleren Werkzeug durchtrennt werden. Teilweise werden Wafer auch nur einmal oberflächlich geschnitten und das verbleibende Material gebrochen. Die zweistufigen Abläufe sollen verhindern, dass die aktiven Bereiche während des Schneidens beschädigt werden.
Die beiden Dies weisen eine Kantenlänge von 0,45mm auf.
Über die runden Bondpads werden die Drain- und Source-Elektroden angebunden. Das mittige Rechteck ist der n-Kanal des Transistors. Der dritte Bonddraht, das Gate-Potential, ist mit dem p-dotierten Substrat verbunden. Man kann erahnen, dass sich zwischen jeder Drain- und Source-Elektroden ein relativ durchsichtiger Streifen befindet. Üblicherweise sind diese Streifen p-dotiert und mit dem Substrat verbunden, so dass beide den n-dotierten Kanal einengen und entsprechend die gewünschte Steuerungsfunktion ausüben können.
Die Zahlen 45 61 könnten eine eindeutige Kennzeichnung des Dies auf dem Wafer gewesen sein. Dafür spricht, dass auf dem zweiten Die eine andere Nummer zu finden ist. Werden die Eigenschaften der Dies vor dem Verbau im Gehäuse vermessen, so kann es wünschenswert oder sogar notwendig sein die Transistoren eindeutig zu kennzeichnen.
Wie beschrieben ist das zweite Die mit den Zahlen 71 65 anders gekennzeichnet.
Die unterschiedlichen Farben weisen nicht notwendigerweise auf unterschiedliche elektrische Eigenschaften hin. Sie werden durch optische Resonanzen erzeugt und sind von den Schichtdicken abhängig.
Die pn-Grenzflächen an den Gate-Elektroden lassen sich in den Durchbruch treiben, was den bekannten Lichteffekt mit sich bringt. Der Durchbruch erfolgt im Fall des DN1682 bei 45V. Hier und in den folgenden Bildern fließen von den Drain/Source-Kontakten ungefähr 30mA zum Gatepotential.
Der Leuchteffekt stellt sich sehr gleichmäßig dar. Er tritt auf beiden Seiten einer jeden Gate-Elektrode auf. Die Kontaktelektroden von Drain und Source sind allerdings nicht ganz exakt ausgerichtet. Dadurch verdecken die Metallelektroden jeweils einen Lichtstreifen. Wo die rechte Potentialzuführung endet, ist jeder zweite dieser verdeckten Lichtstreifen noch ein kleines Stück weit zu erkennen sind.
Es hat sich später gezeigt, dass der Siliconix 2N5911 absolut gleich aufgebaut ist wie der DN1682.
