Richi´s Lab

ITT BD522

ITT BD522

Der von ITT hergestellte BD522 ist ein Leistungs-MOSFET, der bis zu 60V sperren und bis zu 1,5A leiten kann.

Es handelt sich hier um einen sogenannten V-MOSFET, bei dem die Gate-Elektrode V-förmig ausgebildet ist. Diese spezielle Form erzeugt einen breiteren Kanal zwischen Source und Drain, worüber mehr Strom fließen kann. Allerdings stellen sich an der Spitze der Gate-Elektrode sehr hohe Feldstärken ein, was dazu führen kann, dass Elektronen in das Gateoxid eingelagert werden. Solche Ladungsansammlungen ändern die Threshold-Spannung des Transistors. Auf Grund dieser Problematik wechselte man später zu weniger spitzen Gate-Geometrien woraus die Trench-MOSFETs entstanden.

 

ITT BD522 Die

ITT BD522 Die

ITT BD522 Die

Das im Transistor enthaltene Die hat eine Kantenlänge von 1mm. An der unteren Kante sind die Zeichen "VFET1" zu erkennen. In den Ecken befinden sich Geometrien zur Ausrichtung der Maskensätze, daneben sind sieben Quadrate abgebildet, die für die verschiedenen Masken stehen könnten.

Das Source-Potential ist mittig an zwei Bondpads angebunden. Die Source-Elektroden auf der Oberseite des Dies werden über schmale Streifen der Metalllage kontaktiert.
Das Gate-Potential erreicht das Die in der oberen linken Ecke, von wo es über einen Rahmen der Metalllage auf die linke, die obere und die untere Kante des aktiven Bereichs verteilt wird.

 

ITT BD522 Die Detail

ITT BD522 Die Detail

Die roten Streifen stellen die Gate-Elektroden dar. Die dazwischen liegenden Elektroden der Metalllage haben einen Abstand von ungefähr 10µm. Sie scheinen im Bezug auf die Gate-Elektroden minimal verschoben zu sein.

 

ITT BD522 Die Detail

ITT BD522 Die Detail

Die V-Struktur unterhalb der Gate-Elektroden zeichnet sich selbst bei starker Vergrößerung und einem sehr schrägen Aufnahmewinkel nicht auf der Oberfläche ab.

 

 

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