Die NT-1103 ist eine Z-Diode, über die sich keine direkten Informationen finden lassen. Die Bezeichnung weist darauf hin, dass der Hersteller die deutsche Firma Nortron war. Zu einigen wenigen Dioden mit ähnlichen Bezeichnungen existieren noch Datenblätter. Es finden sich Hinweise, dass die NT-1103 eine Zenerspannung von 3,9V aufweist. Beim vorliegenden Modell beträgt die Durchbruchspannung 3,75V (5mA). Die Flussspannung liegt bei 0,64V (5mA).
Der Aufbau erscheint recht grobschlächtig. Es handelt sich um ein n-dotiertes Siliziumplättchen, das mit einem Stück Aluminium legiert wurde. Das Aluminium dient als p-Dotierung, wodurch sich die gewünschte pn-Struktur ergibt.
Das Siliziumplättchen ist ungefähr 0,16mm dick. Es ist auf einem Metallplättchen aufgebracht, das wiederum mit dem Kontaktpin verlötet ist.
Die Oberfläche des Siliziumplättchens ist auch an den seitlichen Kanten sehr glatt. Anscheinend wurde es nach dem Zuschnitt in diese Form noch einem Ätzprozess unterzogen. Damit säubert man die Oberfläche und reduziert die Störstellen. An der vorderen Ecke ist allerdings danach noch ein Stück herausgebrochen.
Die Diode wurde abschließend mit einem Lack vor dem Umgebungsbedingungen geschützt.
Der Kontaktbereich befindet sich in einer Vertiefung. Das Einlegieren von Aluminium erfolgte nicht mit dem großen Aluminiumelement. Mit einer so großen Masse wäre es schwierig den Legierungsprozess präzise und reproduzierbar einzustellen. Aus diesem Grund hat man stattdessen auf der Siliziumoberfläche zusätzlich eine ungefähr 15µm hohe Aluminiumschicht aufgebracht, die zur Legierung genutzt und erst später mit dem großen Aluminiumelement verbunden wurde.
