Tesla hatte eine Familie von Germanium-Kleinsignaltransistoren im Programm, zu denen auch der 101NU71 gehört. Die maximale Kollektor-Emitter-Spannung ist mit 30V spezifiziert. Der Kollektorstrom darf maximal 250mA betragen. Der Stromverstärkungsfaktor liegt zwischen 45 und 120. Die Grenzfrequenz beträgt 0,7MHz.
Das Besondere an diesem Transistor ist, dass es sich um einen NPN-Transistor handelt. Bei Germaniumtransistoren waren die PNP-Typen sehr viel weiter verbreitet, da bei den üblichen Legierungstransistoren die p-Dotierung leichter zu kontrollieren war als die n-Dotierung.
Im Gehäuse befindet sich der bekannte Aufbau, bei dem ein Germaniumplättchen auf einer Metallplatte aufgelötet ist. Das Germaniumplättchen ist ungefähr 60µm bis 70µm dick. Das Plättchen wurde auf beiden Seiten mit Lot kontaktiert. Die Fläche des Emitterkontakts ist etwas kleiner, was die elektrischen Eigenschaften des Transistors verbessert. Es scheint, dass der Aufbau mit einer Art Schutzlack überzogen wurde.
Das Lot enthält bei PNP-Transistoren üblicherweise Indium, dass als p-Dotierung dient. Mit einem n-dotierten Germaniumplättchen ergibt sich dann ein PNP-Transistor. Hier hat man wahrscheinlich das Lot mit Antimon versetzt, das in Germanium eine n-Dotierung darstellen kann. Die Eindringtiefe der Kollektor- und der Emitter-Dotierung muss man möglichst genau steuern. Elemente, die in Germanium als n-Dotierung dienen können, bewegen sich allerdings sehr schnell, wodurch es schwieriger ist die Dotiertiefe genau einzustellen. Aus diesem Grund hat man hauptsächlich PNP-Germanium-Transistoren produziert. Nur wenige Firmen entwickelten zusätzlich NPN-Typen.
Aus einem anderen Blinkwinkeln ist die Lackschicht noch etwas besser zu erkennen.
Die Oberfläche des Germaniumkristalls ist verhältnismäßig glatt.
Auf der Seite des Emitters befindet sich wie üblich ein runder Ausschnitt im Trägerblech, durch den das Emitterpotential zugeführt wird.
