Der TF65 ist ein früher Germaniumtransistor, der ursprünglich von Siemens entwickelt wurde. Das hier vorliegende Modell hat die deutsche Firma Intermetall produziert. Ein Datenblatt von Intermetall findet sich nicht. Siemens hatte einige Sortierungen im Angebot, darunter ein TF65 und mehrere TF65/30. Die maximale Sperrspannung des TF65/30 beträgt 10V. Der maximal zulässige Kollektorstrom liegt bei 50mA. Über das Gehäuse können bis zu 30mW abgeführt werden. Mit sechs Farbcodierungen kann man Verstärkungsfaktoren von 20 bis 100 unterscheiden. Rot steht für einen Verstärkungsfaktor von 20 bis 30. Der TF65 ohne den Zusatz 30 ist nicht nach der Verstärkung sortiert und erlaubt mit 16V eine minimal höhere Sperrspannung. Die maximal zulässige Verlustleistung liegt allerdings 5mW niedriger als beim TF65/30.
Im Gehäuse befindet sich ein Gel. Derartige Füllungen haben üblicherweise zwei Aufgaben. Sie schützen den Transistor vor Umweltbedingungen und unterstützen die Ableitung der Verlustleistung zum Gehäuse.
Der Transistor ist aufgebaut wie die meisten Legierungstransistoren. Ein Metallstreifen trägt eine 0,13mm dicke n-dotierte Germaniumscheibe, die auf beiden Seiten mit einem Lot kontaktiert wird. Im Lot ist üblicherweise Indium enthalten, das ein Stück weit in das Germanium einlegiert und so eine p-Dotierung erzeugt.
Der Germaniumkristall hat einen Durchmesser von 2,1mm und ist an mehreren Stellen gebrochen. Beim Öffnen wurde die Konstruktion nicht mechanisch belastet. Der Grund für die Zerstörung könnte eine elektrische Überlast gewesen sein. Eine solche Überlast kann den Germaniumkristall so stark erhitzen, dass die thermomechanischen Spannungen ihn sprengen.
Die Oberfläche des Germaniumkristalls zeigt die typische Struktur, die sich oft beim Ätzen einstellt. In der direkten Nähe des Kontakts wurde der Kristall offenbar noch dünner geäzt. Dort ist die Struktur auch glatter.
