Der BDX66 ist ein PNP-Darlington-Transistor mit integrierter Freilaufdiode. Das hier dokumentierte Modell wurde 1988 von Motorola produziert. Vier Sortierungen bieten verschiedene Spannungsfestigkeiten. Ohne Index sperrt der BDX66 bis zu 60V. Darauf folgen die Indizes A, B und C, bei denen die Sperrspannung jeweils um 20V steigt. Die Sortierung C sperrt bis zu 120V. Der Kollektorstrom darf dauerhaft 16A und kurzzeitig 20A betragen. Bei einer Gehäusetemperatur von 25°C können bis zu 150W Verlustleistung abgeführt werden.
Im Gehäuse befindet sich ein sehr großes Die auf einem großen Heatspreader.
Die Kantenlänge des Dies beträgt 5,1mm.
Es handelt sich um den bekannten Aufbau, bei dem sich in einer Ecke der Treibertransistor befindet. Dort umgibt die Kontaktierung des Emitterbereichs die Kontaktierung des Basisbereichs, so dass der Emitterstrom direkt zur Basis des Leistungstransistors geführt werden kann.
Unter dem linken Bondpad kann man eine quadratische Kontur erahnen, die höchstwahrscheinlich die parallel geschaltete Diode darstellt.
Ein ausgeprägter MESA-Graben isoliert die beiden Transistoren voneinander. Bei genauerer Betrachtung zeigt sich, dass der Graben eine Stufe enthält. Es scheint, dass die MESA-Struktur in zwei Schritten geätzt wurde.
Seitlich wird eine Sägekante sichtbar. Der Form nach wurde der Wafer ein Stück weit eingeschnitten und die Transistoren dann herausgebrochen.
