Der hier zu sehende Darlingtontransistor wurde von Motorola mit einer anwendungsspezifischen Beschriftung bedruckt. Der Baustein befand sich im Netzteil einer CDC Magnetplattenstation. Hergestellt wurde er offensichtlich im Jahr 1978.
Der Schaltplan des Netzteils zeigt, dass es sich um einen Darlingtontransistor handelt.
Das Die befindet sich auf einem runden Heatspreader und ist mit einem durchsichtigen Verguss geschützt. Der Aufbau ähnelt dem Motorola MJ3001 von 1979, das Die ist aber deutlich kleiner.
Seitlich des Dies erstreckt sich ein dunkler Strich auf dem Heatspreader. Die Farbe erscheint ungewöhnlich. Vielleicht handelt es sich um die Überreste eines Flussmittels, mit dem der Heatspreader behandelt wurde, bevor man das Die aufgelötet hat.
Der Verguss ist durchsichtig, verzerrt aber den Blick auf die Strukturen.
Mit Hilfe eines Silikonlösers lässt sich der Verguss sehr gut entfernen. In der linken unteren Ecke haftet der Verguss aber überraschend stark an. Vielleicht hat sich das Material in diesem Bereich verändert. Der Transistor war ausgefallen, es kann folglich durchaus lokal zu hohen Temperaturen gekommen sein.
Die Strukturen sind typisch für einen Darlingtontransistor mittlerer Leistung. Der Steuertransistor befindet sich ein Stück weit isoliert in der oberen rechten Ecke. Im Gegensatz zu einem normalen Transistor ist dort der Emitterkontakt U-förmig um den Basiskontakt herum angeordnet. Von diesem Emitter führt die Metalllage zum Basisbereich des Leistungstransistors, der den Rest des Dies einnimmt. Dort verläuft der Basiskontakt wie üblich um den Emitter herum.
Größe und Design unterscheiden sich deutlich vom Motorola MJ3001. Das könnte an einer unterschiedlichen Spannungsfestigkeit liegen. Der MJ3001 ist mit einer Sperrspannung von 80V spezifiziert. Der hier zu sehende Transistor muss lediglich aus einer 9V-Spannungsversorgung eine 5V-Spannungsversorgung erzeugen.
Die äußeren Kanten sind heruntergeätzt, um die bekannte MESA-Struktur zu erzeugen, die für eine saubere Basis-Kollektor-Grenzflächen sorgt. Auf der Oberfläche der MESA-Struktur ist eine Kante zu erkennen. Hierbei könnte es sich um die Passivierungsschicht handeln, die den aktiven Bereich des Transistors schützt.
Der Treibertransistor ist von Isolationsgräben umgeben, die mit der MESA-Struktur erzeugt werden. Die Geometrie verlängert die Leitung zwischen Treiber- und Leistungstransistor. Wie im MJ3001 beschrieben, befindet sich darunter der Basis-Emitter-Widerstand des Treibertransistors.
Die Metallisierung des Leistungstransistors ist in einer Ecke beschädigt. Dem optischen Eindruck nach handelt es sich um einen Fehler bei der Herstellung und nicht um eine Beschädigung durch eine Überlast.
