Der PNP-Germaniumtransistor AF201 von Siemens ist ein Hochfrequenztransistor mit einer Grenzfrequenz von mindestens 100MHz. Die Sperrspannung beträgt 25V. Der maximal zulässige Kollektorstrom liegt bei 10mA. Der AF201 kann eine Verlustleistung von bis zu 225mW abführen. Die Sperrschichttemperatur darf dabei 90°C nicht übersteigen. Auf demselben Datenblatt wird auch der AF200 beschrieben. Der AF200 und der AF201 stellen offensichtlich zwei Sortierungen desselben Transistortyps dar. Beim AF201 ist die garantierte Stromverstärkung mit einem Faktor 20 etwas kleiner als beim AF200 und die Rückwirkungskapazität ist etwas höher (maximal 0,7pF).
Im Gehäuse befindet sich eine weiße Masse, die die Strukturen vor den Umweltbedingungen schützt und die Wärmeabfuhr zum Gehäuse hin verbessert.
Der AF201 besitzt vier Pins. Neben Kollektor, Basis und Emitter kontaktiert ein Pin exklusiv das Gehäuse. Der Transistor befindet sich entsprechend auf einem vom Gehäuse isolierten Träger, der am Kollektorpin angeschweißt wurde.
Auf dem Die ist eine Art Schutzlack aufgebracht. Durch die unterschiedliche Dicke des Lacks erzeugen die Interferenzen in der Schicht ein sich wiederholendes Regenbogenmuster. Die Kantenlänge des Dies beträgt 0,5mm. Im Rahmen des 2N1561 ist der Aufbau dieser Art von Hochfrequenztransistoren genauer beschrieben. Man hat die Fläche um den aktiven Bereich heruntergeätzt, so dass nur noch ein Sockel mit einer Kantenlänge von 0,1mm stehen bleibt. Diese Maßnahme reduziert die parasitären Kapazitäten. Auf dem Sockel ist die Basisschicht eindiffundiert. Darauf wird zuletzt der Basiskontakt und der Emitterbereich einlegiert, was man im unteren Bild noch ansatzweise erkennen kann.
