Der КT117 ist ein Unijunction Transistor, wie er genauer im Rahmen des 2N2646 beschrieben ist. Das Logo gehört zum russischen Radioröhrenwerk Uljanowsk und musste auf dem kleinen Gehäuse um 90° gegen den Uhrzeigersinn gedreht werden. Der Index, hier ein B (lateinisch V), zeigt welchen Widerstand man zwischen den beiden Basis-Anschlüssen erwarten kann. Insgesamt existieren vier Sortierungen mit zwei verschiedenen Widerstandswerten und zwei verschiedenen Faktoren, um die sich der Widerstandswert ändern kann.
Im Gehäuse befindet sich ein Die mit einer Kantenlänge von 1,13mm. Ein durchsichtiger Verguss schützt den Halbleiter.
Es handelt sich um den klassischen Aufbau eines Unijunction Transistors, wie er im Rahmen des 2N2646 dokumentiert ist. Die Unterseite des n-dotierten Substrats stellt den Basiskontakt B1 dar. Der rechte Bonddraht bildet den zweiten Basiskontakt. Der linke Bonddraht überträgt das Emitterpotential.
Auf den ersten Blick hätte man meinen können, dass der rechte Bereich der p-dotierte Emitter wäre. Das ist hier offensichtlich nicht der Fall. Um das Emitterbondpad ist keine Kante zu erkennen. Man kann daher davon ausgehen, dass der komplette Bereich um das Basisbondpad B2 eine p-Dotierung enthält. Unter und neben dem Basisbondpad sind zwei Rahmenstrukturen zu erkennen. Eine niederohmige Kontaktierung einer n-dotierten Fläche benötigt lokal eine starke n-Dotierung. Die Innere der zwei Kanten, zeigt den Bereich, der diese stärkere n-Dotierung enthält. Die äußere Kante ist ein Fenster innerhalb der Emitterfläche und legt das n-dotierte Substrat frei. Der äußere Rahmen enthält höchstwahrscheinlich eine n-Dotierung und stellt so einen sauberen Abschluss der Emitterfläche dar.
