Richi´s Lab

Thomson Semiconducteurs BUX37

BUX37

Der BUX37 ist ein Darlington-Transistor mit integrierter Freilaufdiode. Das vorliegende Modell wurde 1980 von Thomson Semiconducteurs produziert. Der Transistor sperrt bis zu 400V und leitet bis zu 15A. Bleibt die Gehäusetemperatur unter 100°C so können bis zu 35W abgeleitet werden. Der Stromverstärkungsfaktor beträgt mindestens 20.

 

BUX37 Aufbau

BUX37 Aufbau

Im Gehäuse befindet sich ein großer Heatspreader. Rillen im Heatspreader erlauben es überflüssigem Lot abzufließen.

 

BUX37 Die

Die Abmessungen des Dies betragen 6,0mm x 5,5mm. Ein durchsichtiger Lack schützt den Transistor vor Umwelteinflüssen. Die Partikel auf dem Schutzlack entstanden beim Öffnen des Gehäuses.

 

BUX37 Die Detail

BUX37 Die Detail

Es handelt sich offensichtlich um einen MESA-Transistor. Von außen nach innen haben sich Teile der Oberfläche braun gefärbt.

 

BUX37 Die

BUX37 Die

Der Schutzlack lässt sich relativ gut entfernen, was einen ungestörten Blick auf die Strukturen erlaubt.

 

BUX37 Die Aufbau

Im rechten Bereich befindet sich der Treibertransistor (gelb), im linken Bereich ist der Transistor des Leistungspfads integriert (rot). Die Freilaufdiode und die Widerstände sind hier nicht sichtbar. Eine genauere Beschreibung des Aufbaus und der Funktionsweise eines solchen Darlington-Transistors findet sich im Rahmen der Dokumentation des SU111.

 

BUX37 Die Passivierung

BUX37 Die Passivierung

Unter dem dicken Schutzlack befindet sich auf dem Transistor offensichtlich noch eine zusätzliche dünne Passivierungsschicht. Entweder hat sich die Beschichtung selbst braun gefärbt oder es handelt sich um eine Verschmutzung darunter. Eine braune Degradation des Siliziums erscheint eher unwahrscheinlich.

Die äußeren Kanten des Transistors sind sehr rau. Es könnte sein, dass die Oberfläche zum Vereinzeln angeritzt wurde. Im Tal der MESA-Struktur ist noch eine zusätzliche Stufe zu erkennen.

 

BUX37 Die Degradation

Einige Stellen erwecken den Eindruck, dass die Degradation in den Bereich des Halbleiters vorgedrungen ist und nicht nur die Schutzschicht verändert hat. Es könnte aber auch sein, dass sich die Passivierung vor allem an Kanten verändert hat und deswegen dieser Eindruck entsteht.

 

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