Der Hitachi 2SB228 ist ein Germanium-Leistungstransistor mit einer Kollektor-Emitter-Sperrspannung von 35V. Die maximale Stromtragfähigkeit liegt bei 5A. Bei einer Gehäusetemperatur von 25°C können bis zu 50W Verlustleistung abgeführt werden.
Die Bodenplatte des Gehäuses ist 1,3mm dick. Auf der Unterseite ist ein Kreis zu erkennen.
Im Gehäuse befindet sich ein loses Trocknungsmittel.
Der Transistor ist auf einem großen, runden Sockel platziert. Es handelt sich hierbei um einen Kupferzylinder, der zur effizienten Wärmeableitung in das Stahlblechgehäuse gepresst wurde und daher auch auf der Unterseite sichtbar ist.
Die Kontaktierung der Germaniumscheibe, die das Basispotential führt, erfolgt wie üblich über ein rundes Blechelement. Von links wird das Emitterpotential zugeführt. Der komplette Aufbau ist mit einem nicht ganz durchsichtigen Schutzlack überzogen.
Bei vielen Germaniumtransistoren befindet sich im Emitter- und im Kollektorbereich ein Lot, das sowohl zur Kontaktierung, als auch zur p-Dotierung der n-dotierten Germaniumscheibe dient. Hier ist der vom Emitterpin zugeführte Draht mit einer Metallscheibe verlötet. Das Lot für die p-Dotierung muss sich unter dieser Scheibe befinden.
Bei einem anderen Modell des 2SB228 fällt die mit 0,85mm deutlich dünnere Grundplatte auf. Die Unterseite dieses Gehäuses ist komplett glatt.
Die schlechtere Wärmeleitung der dünneren Grundplatte kompensiert ein großer und massiver Heatspreader, wie man ihn in moderneren TO-3 Leistungstransistoren einsetzt. Als Nebeneffekt verblieb nur noch wenig Raum für das Trocknungsmittel.
Der Aufbau des Transistors ist grundsätzlich der gleiche wie beim ersten Transistor. Der Schutzlack enthält hier aber Luftblasen und hat sich teilweise gelöst.
