Der GD170 ist ein Germanium-PNP-Leistungstransistor aus dem Halbleiterwerk Frankfurt Oder. Er befindet sich in einem SOT-9 Gehäuse. Das einzelne L steht wahrscheinlich für eine Herstellung im September 1964. Die Sperrspannung beträgt 30V (Rbe=50Ω), der maximale Kollektorstrom liegt bei 3A. Das Datenblatt gibt eine Grenzfrequenz von mindestens 180kHz an. Bei einer Gehäusetemperatur von 25°C können bis zu 5,3W Verlustleistung abgeleitet werden. Der Verstärkungsfaktor bewegt sich im Bereich von 18 bis 90.
Im Gehäuse befindet sich ein großes, hier bereits zerbrochenes Plättchen eines Materials, das Feuchtigkeit bindet.
Es handelt sich um den bekannten Aufbau, bei dem ein Blechelement eine n-dotierte Germaniumscheibe großflächig über den Umfang kontaktiert und so den Basisanschluss darstellt. Verwunderlich ist die Breite dieses Elements, das sogar beschnitten werden musste, um in das Gehäuse zu passen. Vielleicht war die Konstruktion ursprünglich für ein TO-3 Gehäuse gedacht.
Der Emitterkontakt erfolgt über einen Stift, der sich in dem Lot auf der Germaniumscheibe befindet. Es könnte sein, dass mehrere Basis-Emitter-Kombinationen an einem langen Draht gefertigt und erst danach vereinzelt und in die Gehäuse integriert wurden.
Der ganze Aufbau scheint zum Teil mit einer Art Klarlack vor den Umweltbedingungen geschützt worden zu sein.
Seitlich ist ansatzweise der Sockel zu erkennen, auf dem sich die Germaniumscheibe befindet und der den Kollektorkontakt darstellt.
Die Kontaktpins scheinen am oberen Ende auf irgendeine Art behandelt worden zu sein. Dort haften auch Fasern an.
Am Übergang zwischen dem Lot und der Germaniumscheibe sind kleine Luftbläschen zu erkennen, die sich durch den Schutzlack ergeben haben.
