Der 2N1262 ist ein Germanium-PNP-Leistungstransistor in einem MT-36 Gehäuse. Er wurde von Solitron, Hughes Electronics (damals noch Hughes Aircraft Company, Microelectronics Devision), KSC Semiconductor und Honeywell (Military Products Group) gefertigt. Der vorliegende Transistor stammt von Honeywell. Die Sperrspannung liegt bei 45V. Für den 2N1262 findet sich in den Datentabellen zusätzlich eine minimal zulässige Basis-Emitter-Spannung, die mit -28V angegeben wird. Der maximale Kollektorstrom liegt bei 3,5A, die maximale Verlustleistung bei 32W. Die Stromverstärkung ist mit einem Faktor 50, die Grenzfrequenz mit 0,2MHz spezifiziert. Das Gehäuse darf maximal 95°C heiß werden.
Der 2N1262 wurde bereits 1959 von Honeywell beworben (Electronic Design, Dezember 9, 1959).
Das MT-36 Gehäuse bietet auf der Seite der Verschraubung eine blanke Kupferfläche, die für eine optimale Entwärmung sorgt.
Eingeprägten Buchstaben kennzeichnen die Anschlüsse. Der Kollektoranschluss ist direkt mit dem Gehäuse verbunden.
Das Gehäuse ist dreiteilig aufgebaut. Auf dem Kupferkühler befindet sich ein Zylinder, der letztlich mit dem Anschlussdeckel verbunden ist.
Entfernt man den Deckel des 2N1262, so zeigt sich, dass die Lötösen auf Hülsen basieren. In die Hülsen wurden ein Draht und ein schmales Metallband eingeführt.
Die Hülsen wurden vermutlich am Ende der Fertigung verpresst, was ein Zerlegen des Transistors erschwert und letztlich zum Bruch des Halbleiterplättchens geführt hat.
Der Transistor besteht aus einem quadratischen, n-dotierten Plättchen Germanium, auf dem ein ringförmiger Basisanschluss aufgelötet ist. Von diesem Basisanschluss führt das schmale Metallband zum Basisanschluss. Mittig befindet sich der Emitterkontakt, wo ein Dotierstoff einlegiert ist, der eine p-Dotierung schafft. Bei Germaniumtransistoren handelt es sich dabei üblicherweise um Indium. Dort ist auch der Draht des Emitteranschlusses aufgelötet.
Das Germaniumplättchen ist auf einem Sockel aufgelötet, der als Kollektorkontakt und als Wärmesenke fungiert. Es zeigt sich, dass der Kupferkühler nicht über den vollen Umfang in das Gehäuse ragt.
An der Außenseite des Gehäuses wurde ein Gel aufgebracht. Wahrscheinlich handelt es sich um ein Trocknungsmittel.
Die Kollektorfläche ist deutlich größer ist als die Emitterfläche, was sich positiv auf die Eigenschaften des Transistors auswirkt.
Obwohl das Germaniumplättchen bereits sehr dünn ist, wurde die Dicke im aktiven Bereich weiter reduziert. Eine möglichst dünne Basisschicht wirkt sich positiv auf die Eigenschaften des Transistors aus.
