Der 2N257 ist ein Germanium-Leistungstransistor, der bis zu 35V sperren und bis zu 4A leiten kann. Hergestellt wurde dieser 2N257 von der amerikanischen Firma Clevite.
Im Gehäuse befindet sich ein weißes Pulver als Trocknungsmittel.
Basis- und Emitterzuleitungen bestanden ursprünglich aus einem einzelnen Blechelement, das nach dem Zusammenfügen mit dem eigentlichen Transistor an zwei Stellen aufgetrennt wurde.
Die Germaniumscheibe ist an einen Ring angebunden, der wiederum mit dem Basis-Blechelement verbunden ist.
In der Mitte der Germaniumscheibe befindet sich der Emitterkontakt. Dessen Indium stellt die p-Dotierung auf der n-dotierten Germaniumscheibe bereit.
Entfernt man den Rest des Gehäusedeckels, so ist der Aufbau des Transistors noch deutlicher zu erkennen. Die Grundplatte bildet einen Kegelstumpf aus, auf dem die Germaniumscheibe aufgelötet ist. Auch hier stellt Indium die notwendige p-Dotierung für den Kollektorbereich dar. Über der n-dotierten Germaniumscheibe befindet sich der Metallring und das Blechelement des Basisanschlusses. Ganz oben ist noch der Anschluss des Emitters zu sehen.