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IXYS IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1

Der IXGH48N60C3D1 ist ein von IXYS produzierter IGBT. Der Transistor bietet eine Spannungsfestigkeit von 600V. Die Stromtragfähigkeit liegt bei 48A (25°C) bis 75A (110°C). Kurzzeitig (1ms) sind 250A zulässig. Der im Datenblatt dargestellte SOA-Bereich ist rechteckig, wird also nicht durch den second breakdown begrenzt.
Die integrierte Freilaufdiode erlaubt einen Strom von 30A (110°C). Die Sperrverzögerungszeit liegt im zweistelligen Nanosekundenbereich, was dafür sorgt, dass die Schaltverluste nicht zu hoch ausfallen. Das schnelle Abschalten erkauft man sich mit einer relativ hohen Flussspannung von bis zu 2,7V (30A, 25°C).
Der IXGH48N60C3D1 ist auf Schaltfrequenzen zwischen 40kHz und 100kHz ausgelegt.

Die beiden obigen Packages unterscheiden sich optisch relativ stark, sind aber intern gleich aufgebaut. Der Prägung des oberen IGBT nach zu schließen befand sich das Backend der Fertigung auf den Philippinen, während die Beschriftung des unteren IGBTs auf Korea verweist.

 

IXGH48N60C3D1 Aufbau

Das Package enthält zwei Dies, den IGBT (links) und die Freilaufdiode (rechts), die bei IGBTs nicht intrinsisch vorhanden ist.

 

IXGH48N60C3D1 IGBT Die

IXGH48N60C3D1 IGBT Die

Die Abmessungen des eigentlichen IGBTs betragen 7,2mm x 6,1mm. Auf der Oberfläche des Dies befindet sich der Emitteranschluss, der mit drei Bonddrähten kontaktiert wird. Der seitliche Gateanschluss und die Leitung in die Mitte des Dies ist etwas, das man bei Leistungs-MOSFETs oft findet. Die Randstruktur besitzt eine Potentialsteuerung.

 

IXGH48N60C3D1 IGBT Die Detail

Um den eigentlichen IGBT sind sieben Ringen in der Siliziumstruktur abgebildet. Darauf folgt ein Ring der Metalllage und der abschließende Rahmen an der Kante des Dies. Von Ring zu Ring wird die anliegende Spannung langsam abgebaut, so dass sich lokal keine zu hohen elektrischen Feldstärke einstellen, die zu einem Durchschlag führen könnten.

In den Ecken befindet sich jeweils ein Copyright-Vermerk. IX5D könnte für eine Modellreihe stehen.

 

IXGH48N60C3D1 IGBT Die Detail

Das Design stammt aus dem Jahr 2006.

 

IXGH48N60C3D1 IGBT Die Detail

Ein IGBT besteht aus vielen einzelnen Emitterbereichen, die sich in der Oberfläche durch eine kissenförmige Struktur bemerkbar machen.

Zwischen der Gate- und der Emitterfläche kann man in der unteren Schicht die Leiterbahnen erkennen, die das Gate-Potential unter den Emitterkontakt führen und dort verteilen.

 

IXGH48N60C3D1 Freilaufdiode Die

IXGH48N60C3D1 Freilaufdiode Die

Die Abmessungen der Freilaufdiode betragen 6,6mm x 4,2mm. Die große Metallfläche ist mit zwei Bonddrähten angebunden. Der dunkle Rahmen enthält mit ziemlicher Sicherheit Strukturen zur Potentialsteuerung.

 

IXGH48N60C3D1 Freilaufdiode Die Detail

Auf der mutmaßlichen Potentialsteuerung wurde anscheinend eine Schutzschicht aufgetragen.

 

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