Richi´s Lab

2N6027

2N6027

Der 2N6027 ist ein sogenannter Programmable Unijunction Transistor.

Die Bezeichnung des 2N6027 ist genau genommen falsch, da ein Unijunction Transistor per definitionem nur eine Sperrschicht besitzt. Ein Unijunction Transistor basiert auf einem n-dotierten Grundmaterial. An dieses Grundmaterial sind die zwei Basis-Anschlüsse des Bauteils angebunden. Zwischen den Basis-Anschlüssen ist ein p-dotierter Bereich eindiffundiert, der das n-dotierte Grundmaterial aber nicht vollständig durchdringt. Dieser Anschluss wird als Emitter bezeichnet.
Der Unijunction Transistor hat mittlerweile kaum mehr einen Anwendungsfall. Früher wurden damit vor allem Kippschwinger aufgebaut. Schließt man zwischen Emitter und Basis1 den Kondensator eines RC-Glieds an, so baut sich daran so lange Spannung auf, bis die Emitter-Basis1-Strecke durchbricht und der Transistor leitend wird. Ist der Kondensator entladen, so sperrt die Struktur wieder und der Vorgang beginnt von Neuem.

Ein Programmable Unijunction Transistor besitzt mehr als nur eine Sperrschicht, er ist wie ein Thyristor aus vier abwechselnd dotierten Schichten aufgebaut. Die drei Anschlüsse des Programmable Unijunction Transistors werden entsprechend nicht mit Basis1, Basis2 und Emitter bezeichnet sondern mit Gate, Anode und Kathode. Während bei einem Thyristor das Gate über der Kathode angebunden ist, befindet sich der Anschluss beim Programmable Unijunction Transistor direkt unter der Anode.
Die Anode- und Kathode-Anschlüsse können wie die Emitter- und Basis1-Anschlüsse des einfachen Unijunction Transistors genutzt werden. Zusätzlich ist es möglich die Schaltschwelle über das Potential am Gate-Anschluss zu beeinflussen.

Trotz der speziellen, altmodisch erscheinenden Funktion werden Programmable Unijunction Transistoren immernoch produziert.

 

2N6027 Die

2N6027 Die

Das Die ist mit einer Kantenlänge von 440µm relativ klein. Es ermöglicht einen dauerhaften Stromfluss von 150mA. Für 10µs sind bis zu 5A erlaubt.

Auf der Oberseite befinden sich zwei Anschlüsse, den dritten Anschluss bildet die Unterseite des Dies. Die kreiförmige Elektrode stellt mit ihrer größeren Kontaktfläche die Anode des Transistors dar. Das rote Material ist entsprechend p-dotiert. Die darunter liegende, grüne Fläche ist der n-dotierte Bereich des Gates. Beim Gate genügte auf Grund des geringeren Stroms eine relativ kleine Kontaktfläche. Um den grünen Bereich kann man noch den nach unten folgenden, roten, p-dotierten Bereich erkennen. Das letzte n-dotierte Segment der Kathode ist hier nicht sichtbar. Der Zweck das einzelnen Quadrats auf dem Anodendring erschließt sich nicht.

 

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