Der ASY25 ist ein von Siemens produzierter, auf Germanium basierender PNP-Kleinsignaltransistor. Er bietet eine Spannungsfestigkeit von 30V, eine Stromtragfähigkeit von 0,3A und eine Grenzfrequenz von 0,5MHz. Der Transistor befindet sich in einem der früher üblichen TO-1-Gehäuse.
Ein roter Punkt auf dem Gehäuse markiert den Kollektoranschluss.
Das Metallgehäuse ist zweiteilig aufgebaut. Die Durchführung der Anschlussdrähte erfolgt durch einen Verguss im unteren Teil.
Im Inneren des Gehäuses befindet sich ein feuchtes, oranges Material. Wahrscheinlich handelt es sich um eine Wärmeleitpaste. Da der Transistor selbst nicht direkt an das Gehäuse angebunden ist, ermöglicht es erst die Wärmeleitpaste die anfallende Verlustleistung einigermaßen schnell zum Gehäuse abzutransportieren.
Es zeigt sich, dass der untere Teil des Gehäuses wie ein Ring aufgebaut ist, der in den oberen Teil, den Metallzylinder, eingeschoben wurde. Die schwarze Vergussmasse dichtet das Innere zur Umgebung hin ab.
Der mittlere Pin ist an eine 0,2mm dicke Metallscheibe angeschweißt. Sie ermöglicht eine großflächige Kontaktierung der Basis. Der eigentliche Halbleiter ist die kleinere, 0,1mm dicke Scheibe, die rechts auf die größere Scheibe gelötet wurde. Der rechte Draht stellt die Anbindung an den Kollektor dar. Der linke Kontakt wird durch ein Loch in der Metallscheibe geführt und kontaktiert dann den Emitterbereich.
Beim ASY25 handelt es sich um einen Legierungstransistor. Die auf die größere Metallscheibe gelötete Scheibe besteht dabei aus n-dotiertem Germanium und stellt die Basis des Transistors dar. Die Metallscheibe kontaktiert die Basis sehr niederohmig, was sich positiv auf die Eigenschaften des Transistors auswirkt. Das Germanium wird auf beiden Seiten mit einem Metall verschmolzen, das sich als p-Dotierung eignet. Meist kommt Indium zum Einsatz. Man kann davon ausgehen, dass das Lot zwischen Pin und Scheibe Indium enthält. Durch das Aufschmelzen bilden sich auf beiden Seiten der Germaniumscheibe p-dotierte Bereiche, die dann als Kollektor und als Emitter dienen.
In den Zeiten der Legierungstransistoren wurden hauptsächlich PNP-Transistoren hergestellt, da p-Dotierungen sehr viel langsamer in das Germanium diffundieren als n-Dotierungen. Die geringere Geschwindigkeit macht es einfacher die Diffusionstiefe und damit die Basisweite sauber einzustellen.
Der Emitter-Pin kontaktiert die Germaniumscheibe durch ein Loch in der Metallscheibe.
