Die hier vorliegende CMOS-Variante des NE555 stammt vom russischen Halbleiterhersteller Mikron und trägt die Bezeichnung КP1441BИ1 (KR1441VI1). Dem Datecode nach wurde der Baustein 2008 produziert.
Die größten Strukturen auf dem Die sind die Push-Pull-Endstufe an der linken Kante und der Discharge-Transistor an der rechten Kante. Deutlich zu erkennen sind die breiten Leitungen, die die Versorgungspotentiale von den Pads 1 und 8 verteilen. In der Mitte des Dies befinden sich die drei langen, für den NE555 spezifischen Widerstände.
