Intersil fertigte eine CMOS-Variante des NE555 unter der
Bezeichnung ICM7555.
Die drei Packages von 1981, 1984 und 1986 enthalten alle
das gleiche Die.
An der unteren Kante des Dies befindet sich neben Kreuzen zur Ausrichtung der
Masken die Bezeichnung ICM7555Z.
Die Maskenrevisionen lauten: 1A, 2B, 3B, 4B,
5B, 5XB, 6B
In der oberen rechten Ecke befindet sich die Push-Pull-Endstufe des Ausgangs. Das große Element an der linken Kante stellt den Entladetransistor für den externen Kondensator dar.
Ein etwas aktuellerer ICM7555 aus dem Jahr 1989 enthält ein anderes Die, dessen Design überrascht.
Auf dem Die befindet sich ein Intersil-Schriftzug und die Zeichenfolge COPR, was für einen oder mehrere Entwickler oder einen Fertigungsprozess stehen könnte.
Das Design unterscheidet sich an vielen Stellen von den anderen ICM7555.
An den Bondpads links
oben, recht unten, oberhalb des Massepads und rechts oben neben dem
Push-Pull-Ausgang befanden sich in den anderen drei ICM7555 einfache
Streifenwiderstände. Sie dienten höchstwahrscheinlich als einfache
Schutzstruktur. Im hier vorliegenden Die sind diese Elemente komplexer und
besitzen eine eigene Anbindung an das Massepotential. Es scheint sich weiterhin
um Widerstände zu handeln, die nun allerdings in einer anderen Schicht
eingebettet sind. Vermutlich konnte damit die Ableitung von potentiell
schädlichen Impulsen verbessert werden.
Es scheint unmöglich die beiden Dies innerhalb eines Entwicklungsprozesses
zeitlich sinnvoll einzuordnen:
Das untere Die stammt aus dem Jahr 1982 und ist damit älter als die meisten aber
nicht aller der obigen
ICM7555-Varianten. Das würde dafür sprechen, dass das Design neuer ist. Fraglich
bleibt dann warum das alte Design noch mindestens vier Jahre produziert wurde.
Das könnte wiederum wirtschaftliche Gründe gehabt haben.
Die Bezeichnung des Dies lautet
hier ICM7555A, bei den obigen Varianten ICM7555Z. Ein Z-Design könnte man als
Nachfolger eines A-Designs werten. Das ist allerdings hochspekulativ.
Die Maskenrevisionen
sind keine Hilfe für die zeitliche Einordnung. Bei den obigen Dies lauten sie 1A, 2B, 3B, 4B, 5B, 5XB, 6B.
Hier findet sich dagegen 1A, 2C, 3B, 4A, 5A, 6B. Das Design des unteren Dies
muss als komplett neu eingestuft worden sein. Ansonsten wäre die Maske 2 neuer,
während die Masken 4 und 5 einen älteren Stand hätten. Interessant ist dabei,
dass die Maske 5XB fehlt.
An einigen Stellen ist gut zu erkennen, dass es sich um Metal-Gate-MOSFETs
handelt, bei denen die Metalllage die Gateelektrode darstellt. Hier ist ein
Doppeltransistor zu sehen. Das olivgrüne Material stellt Drain und Source dar.
Es ist dreigeteilt. Über den Unterbrechungen befinden sich die beiden Streifen
der Metalllage die die Gateelektroden darstellen.
