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ST Microelectronics 2N3055

2N3055 ST Microelectronics

 Dieser 2N3055 von ST Microelectronics zählt zu den neueren Generationen.

 

2N3055 ST Microelectronics Die

Im Gehäuse dieses Baustein befindet sich ein vergleichsweise kleines Die. Da die 2N3055-Transistoren nicht mehr allzu hoch eingepreist werden können, müssen die notwendigen Gewinne über Einsparungen beim Materialeinsatz erwirtschaftet werden. Mittels stärkerer Dotierung können auch kleinere Halbleiter die ursprünglichen Spezifikationen einhalten. Die älteren Transistoren sind allerdings in gewissen Punkten wie zum Beispiel dem second Breakdown oder dem Umgang mit Verlustleistung robuster. Aber auch die auf den ersten Blick besseren Spezifikationen der neueren 2N3055-Transistoren können zu Problemen führen. Die kleineren Strukturen haben höhere Grenzfrequenzen und Verstärkungsfaktoren. Werden alte Bauteile durch neue ersetzt, so kann es abhängig von der umgebenden Schaltung zu ungewollten Schwingungen kommen.

Mittlerweile finden sich auch immer wieder 2N3055-Fälschungen, die die Datenblattwerte nicht einhalten.
Der Aufdruck auf diesem Transistor erscheint wenig hochwertig. Ob es sich hier bereits um eine Fälschung handelt lässt sich nicht mit letzter Sicherheit sagen. Immerhin besitzt das Die einen massiven Heatspreader.

 

2N3055 ST Microelectronics Die Detail

Das Die besitzt eine recht moderne, aber keine besondere Erscheinung.
Der Bonddraht des Basisanschlusses ist auf Grund der geringeren Ströme etwas dünner ausgeführt.

 

2N3055 ST Microelectronics Bond

 

2N3055 ST Microelectronics Die second breakdown glowing

An einem offenen Bipolartransistor lässt sich ein interessanter Effekt beobachten. Legt man an die Basis-Emitter-Strecke eine negative Spannung an und treibt den pn-Übergang in den Durchbruch, so beginnt dieser zu leuchten. Das Datenblatt gibt maximal -7V für die Basis-Emitter-Strecke an. In diesem Transistor tritt der Durchbruch bei ungefähr -12V auf. Der Strom muss natürlich begrenzt werden, um die Strukturen nicht sofort zu zerstören. Gleichzeitig definiert aber der Strom die Helligkeit. In diesem Fall wurden 0,5A eingestellt. Der thermische Kapazität des Gehäuses ist groß genug, dass es mit der Verlustleistung von 6W einige Sekunden zurecht kommt.

Siliziumhalbleiter leuchten üblicherweise nicht im sichtbaren Bereich. Die Bandlücke des Materials ist so klein, dass sich die abgestrahlten Wellenlängen weit im Infrarotbereich befinden. In diesem Fall handelt es sich allerdings nicht um eine Rekombination von Ladungsträgern an einem pn-Übergang, sondern um einen Lawinendurchbruch. Bei einem Lawinendurchbruch werden Ladungen so stark beschleunigt, dass sie weitere Ladungsträger erzeugen. Die relativ unkontrollierte Generation und Rekombination von Ladungsträgern führt zu einer minimalen aber doch sichtbaren Leuchterscheinung.

 

2N3055 ST Microelectronics Die second breakdown glowing detail

Die Leuchterscheinung tritt genau an der Grenzfläche zwischen Basis und Emitter auf.

 

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